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集微咨询发布《2026中国第三代半导体材料行业上市公司研究》报告:天岳先进登顶全球衬底市场,行业步入价涨量增新周期
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经历 2025 年的深度价格战与产能洗牌,第三代半导体行业在 2026 年上半年迎来实质性拐点:低端过剩产能基本出清,头部厂商满产满销,行业竞争从 " 价格战 " 转向以技术能力、产品质量与规模化制造为核心的高质量阶段," 价涨量增 " 的景气上行周期正式开启。与此同时,AI 数据中心成为最强新增引擎,与新能源汽车、光伏储能形成多轮共振——据 WSTS 统计,2026 年上半年全球半导体市场营收达 7020 亿美元、同比增长 102%,全年市场规模预期上调至 1.66 万亿美元。

碳化硅是这条主线上弹性最大的材料环节。据 Yole Group 统计,2025 年全球碳化硅功率器件市场规模约 37 亿美元,预计 2031 年将达 110 亿美元、复合增长率约 20%;回溯更长的周期,全球碳化硅功率器件销售额四年间已从 6 亿美元增至 26 亿美元、年复合增长率高达 45.4%,在整体功率半导体市场中的渗透率预计 2029 年将达 17.1%。

近日,集微咨询(JW Insights)正式发布《2026 中国第三代半导体材料行业上市公司研究》(以下简称《报告》)。《报告》以天岳先进、三安光电、士兰微、华润微、芯联集成、瀚天天成、英诺赛科等 20 家上市公司为样本,覆盖衬底、外延、器件与模块全产业链,从财务表现、营运效率、研发投入到股价估值逐层拆解,并结合 AI 数据中心、新能源汽车等下游动态,系统呈现第三代半导体行业的景气拐点与竞争格局之变。

以下是《报告》节选:

产业链价值再认识:衬底占据半壁江山

第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表,在高温、高频、高压场景下性能远超传统硅基器件。产业链上,衬底是价值量最高的环节、占比接近 50%,外延占 23%、器件占 22%。以同规格产品对比,碳化硅 MOSFET 的导通电阻仅为硅基 MOSFET 的 1/100、芯片尺寸缩小至 1/10,可使电动汽车续航提升 5% — 10%。

图 1:第三代半导体三大重点环节价值量占比

应用侧,电动汽车是绝对主力:2024 年电动车领域占全球碳化硅功率器件市场的 74.4%;随着整车电气系统从 400V 向 800V 架构转型,碳化硅器件可使充电器输出功率提高近 30%、功率损耗减少约 50%。可再生能源与储能 2024 — 2029 年需求复合增速预计分别为 28.7% 和 44.1%,新兴行业更高达 56.4%。

图 2:全球碳化硅衬底市场规模及预测

财务全景:490 亿收入背后,盈利质量结构性改善

《报告》统计的 20 家样本公司 2026 年上半年合计收入 490.40 亿元、同比下降 31.12%,但降幅主要来自 *ST 闻泰剥离产品集成业务、安世境外主体不再并表及晶盛机电光伏装备下滑的结构性影响,剔除后行业收入整体保持增长。增速榜上,瀚天天成(+92.04%)、英诺赛科(+50.65%)、捷捷微电(+32.08%)、扬杰科技(+30.69%)、芯联集成(+30.53%)领跑;营收规模前三为士兰微(72.62 亿元)、三安光电(64.68 亿元)、华润微(61.28 亿元)。

盈利端的变化更能说明拐点成色:行业整体毛利率由上年同期的 17.96% 提升至 21.86%,价格企稳与产能利用率修复是核心驱动;归母净利润合计 24.98 亿元,芯联集成实现上市以来首次半年度盈利,ST 东尼、瀚天天成扭亏为盈,华润微净利润同比增长 113.23%。研发投入合计约 47.23 亿元、占营收 9.63%,基本半导体研发费用率高达 51.11%,英诺赛科(22.21%)、芯联集成(19.84%)紧随其后。

格局之变:中国企业改写全球碳化硅版图

衬底环节的标志性事件是天岳先进登顶:据日本富士经济数据,其 2025 年以 27.6% 的份额首次位居全球导电型碳化硅衬底市场第一,8 英寸产品市占率高达 51.3%;2026 年上半年公司满产运行,第二季度营收 5.48 亿元创单季度历史新高、同比增长 42.06%,12 英寸全系列产品已获头部客户订单并实现交付。外延环节,瀚天天成以 31.6% 的销量份额居全球碳化硅外延代工厂之首,服务全球功率器件 TOP5 厂商中的 4 家,并实现全球首个 12 英寸碳化硅外延晶圆小批量订单突破。

图 3:2025 年全球碳化硅衬底竞争格局

器件环节的国产突围同样亮眼:芯联集成上半年以 31.09 万套装机量、16.9% 的份额登顶中国新能源乘用车 SiC 功率模块市场,前四名中国产厂商占三席。分环节看国产化率,碳化硅衬底约 55% — 60%、GaN 功率器件已超 50%,SiC 功率器件约 30% — 35%,衬底技术已基本追平海外龙头,替代空间仍按环节梯次展开。

图 4:全球碳化硅器件市场规模及渗透率

图 5:全球碳化硅外延片市场规模及预测

双引擎驱动:AI 数据中心打开第二增长曲线

AI 数据中心正成为碳化硅行业最重要的新增变量。据中金公司公开资料,AI 数据中心对碳化硅功率器件需求的价值量年复合增长率达 144.78% — 379.14%(2026 — 2030 年),2030 年每兆瓦数据中心建设对应的碳化硅器件价值量约 22 万美元、是 GaN 功率器件的 4.5 倍;全球九大头部云服务商 2026 年资本开支预估上调至 8867 亿美元、同比增幅接近 90%。

产业落地同步提速:英诺赛科面向 AI 及数据中心的芯片出货量同比增长 183%、已导入 20 余家头部云服务商;士兰微应用于 AI 算力中心电源的Ⅱ代 SiC-MOSFET 实现大批量出货;基本半导体工业级碳化硅功率模组获超过 60 家运营商 AI 数据中心采用;三安光电向长城、维谛技术、台达等批量交货并签署长期不可撤销订单。车规侧,800V 高压平台从高端车型向经济车型下沉,上半年国内新能源汽车出口 235.5 万辆、同比增长 1.2 倍,Yole 预测 2031 年 800V 架构渗透率将突破 50%。供给端的反应是涨价:6 英寸衬底自 4 月起跳涨、8 英寸导电型衬底弹性最大,士兰微 7 月对部分产品提价约 15%,英飞凌两度上调价格。

图 6:第三代半导体产业链公司全景

资本市场:板块普涨,市值差距仍是长期命题

景气拐点在二级市场得到充分定价。上半年三代半板块股价普涨:新洁能(+177.53%)、扬杰科技(+131.22%)、ST 东尼(+97.34%)、天岳先进(+95.22%)、士兰微(+92.40%)、华润微(+84.54%)涨幅居前;国际巨头同样受益于 AI 电源需求,Wolfspeed 上涨 209.55%、意法半导体上涨 179.75%、纳微半导体上涨 143.20%。

但差距同样直观:截至 6 月 30 日,英飞凌市值 8204 亿元,6 家国际公司合计市值约 1.6 万亿元,约为 20 家中国样本企业总市值(约 9753 亿元)的 1.6 倍,且较年初的 1.2 倍有所扩大。《报告》指出,差距的根源在技术深度、全球生态绑定与全链条整合能力—— A 股公司海外收入占比整体偏低、全球定价权有待提升,估值溢价需要业绩持续兑现。跨越周期完成高端化与全球化,是中国三代半公司的下一场考试。

目前,《2026 中国第三代半导体材料行业上市公司研究》已在爱集微官网与 APP 正式上线,欢迎登录爱集微官网或集微 APP,在首页点击 " 集微报告 " 栏目,即可进行订购。

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