快科技 10 月 22 日消息，据报道，美光近日在 2026 年 OCP 峰会上公布下一代存储技术路线图，覆盖 DDR6、LPDDR6、vHBM 及 G11 NAND 四大方向，多项指标较上代实现翻倍级提升。

DDR6 的带宽预计达到 DDR5 的两倍以上，主要面向高可靠性服务器市场。LPDDR6 的能效较 LPDDR5 提升超过 35%，在部分密度配置下提升幅度更大，同时兼顾数据中心与移动设备场景。

两者均基于美光即将推出的 1 δ（1-Delta）DRAM 工艺节点，该节点号称 " 全球最先进 DRAM"，位密度较上代提升约 20%，计划 2027 年下半年进入量产爬坡阶段。

在 HBM 领域，美光首次提出垂直 HBM（vHBM）概念，将内存直接堆叠在计算芯片上方，实现最短的内存到计算路径。

vHBM 将依靠混合铜键合、热感知设计与系统协同优化来提升互连密度和能效，首代产品预计 2028 年推出，2030 年演进至 vHBM3。

NAND 方面，美光跳过一代直接推出 G11，堆叠层数突破 400 层，采用晶圆级键合技术，位密度约为 G9 的两倍，I/O 速度提升 1.5 倍，每比特数据传输能耗降低 25% 以上，同样计划 2027 年下半年量产。美光总裁 Scott DeBoer 称其为 " 全球最先进的 NAND"。

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