美国存储芯片企业美光科技正式放弃导入被视为下一代 DRAM 微缩技术关键关卡的 4F ²（4F 平方）单元结构。外界解读，美光不再强行推进 4F ² 路线，转而延续现有 6F ² 结构，并全力押注晶圆键合、3D 堆叠技术路线，试图扭转与韩国竞争对手之间的技术差距，是一次豪赌式战略抉择。

美光于当地时间 21 日举办技术线上研讨会，公布包含未来十年存储研发方向的多代技术路线图，对外释放上述方针。本次发布会最具冲击性的内容，就是美光对下一代 DRAM 单元结构做出的判断。

目前三星电子、SK 海力士正在研发基于垂直沟道晶体管（VCT）的 4F ² 结构，目标突破 10 纳米以下（0a、0b 纳米级）工艺的物理极限。该路线的思路是将原有 6F ² 结构换成 4F ²，缩小芯片面积、提升集成度。

美光在发布会资料中写明：" 我们对 4F ² 的研究已经超过 20 年，但不存在具备可量产性的微缩路径。" 出席发布会的美光总裁兼首席技术与产品负责人（CTPO）Scott DeBoer 进一步表示："4F ² 微缩存在根本性问题，相比 6F ² 的密度优势，很大程度上近乎一个神话。"

美光果断跳过 4F ²，将晶圆键合与 3DDRAM 放在路线图核心位置。继当前主力的 1 伽马（1 γ）节点之后，计划 2027 年下半年在美国爱达荷州博伊西工厂启动下一代 1 德尔塔（1 δ）DRAM 量产。随后，在研发推进中的 6F ² 衍生后续节点 1 艾普西隆（1 ε）上正式大规模采用晶圆键合技术。

尤其在更远期的前沿节点，美光在 1 泽塔（1 ζ）与 1 伊塔（1 η）之间正式规划了两代 3DDRAM（3D1、3D2）。配套策略是同步探索高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机与新材料，待到经济性达标之时，立刻将 3DDRAM 导入量产产线。

在封装以及高带宽内存（HBM）领域，美光还全新公布最大化利用 3D 堆叠技术的 Vertical HBM（垂直 HBM）。传统 HBM 是放置在中介层上、与处理器（XPU）并排摆放；而 Vertical HBM 是将内存直接堆叠在处理器上方，依靠细间距混合键合完成互连。

业内评价认为，本次发布是美光为改写和三星电子、SK 海力士之间的技术竞争格局打出的一记重手。这相当于对外宣告：不再选择在被视作 2D 微缩最后跳板的 4F ² 赛道正面硬刚，而是想用键合、3D 堆叠技术重新改写行业竞争规则。