今年 8 月，上海证券交易所官网显示长江存储（YMTC）科创板 IPO 审核状态变更为 " 已受理 "，标志着国内规模最大 NAND 闪存企业向资本市场迈出关键一步。与此同时长江存储为接下来的发展制定了雄心勃勃的计划，目标是成为全球最大的 NAND 闪存芯片制造商。另外长江存储还打算进军 DRAM 市场，进一步拓展旗下产品线。

据 TECHPOWERUP 报道，虽然外界已经知道长江存储将生产 DRAM 芯片，但是并不确定具体信息。传闻自 2025 年 10 月以来，长江存储已经在其 Fab 2 工厂生产 DRAM 芯片，月产能约 5000 片晶圆，属于 16Gb LPDDR5X 模块，速率 7500MT/s。目前长江存储准备在其 Fab 3 工厂正式量产 LPDDR5X，速率将提升至 9600MT/s，

长江存储的 LPDDR5X 采用了 4F ² 单元结构，利用晶体管垂直布局实现芯片面积微缩。长江存储在混合键合技术方面具有显著优势，这一点在晶栈 Xtacking 4.0 架构已经得以体现。在生产过程中，长江存储将存储阵列与外围逻辑电路分开在两片晶圆制造，再通过键合工艺整合，突破传统 DRAM 制造的工艺限制，降低了对光刻设备的依赖。

即便未来长江存储转向 3D DRAM，也能凭借混合键合技术轻松过渡。由于受制于光刻设备，在现有 DUV 光刻技术下，预计直到 3D DRAM 正式推出前，无论长江存储还是长鑫存储，都会积极推动 4F ² 单元结构普及。