金融界 9小时前
长江存储申请半导体器件及其制备方法专利,第一存储结构和第二存储结构沿第二方向交错排布
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国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为 " 半导体器件及其制备方法 " 的专利,公开号 CN122970893A,申请日期为 2025 年 4 月。专利摘要显示,本公开提供了一种半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域。该半导体器件包括第一半导体结构。该第一半导体结构包括半导体主体、第一存储结构和第二存储结构。该半导体主体沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布。沿该第一方向,该半导体主体位于第一存储结构和第二存储结构之间,且该第一存储结构和该第二存储结构沿该第二方向交错排布。该半导体主体包括沿第二方向上相邻的第一半导体主体和第二半导体主体。该第一半导体主体与该第一存储结构耦接,该第二半导体主体与该第二存储结构耦接。第一方向与第二方向交叉。

天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于 2016 年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 12469608.0404 万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了 3 家企业,参与招投标项目 1506 次,财产线索方面有商标信息 1032 条,专利信息 6332 条,此外企业还拥有行政许可 1243 个。

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本文源自:市场资讯

作者:情报员

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