金融界 8小时前
长鑫科技申请存储器装置及其制造方法专利,第一连接结构和字线沿第一方向的尺寸相同
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国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为 " 存储器装置及其制造方法 " 的专利,公开号 CN122970892A,申请日期为 2025 年 4 月。

专利摘要显示,本公开实施例提供一种存储器装置及其制造方法。该存储器装置包括:堆叠结构,包括沿第一方向堆叠设置的多个层级;堆叠结构包括阵列区域和设于阵列区域一侧的第一台阶区域;其中,在每个层级中,阵列区域包括沿第二方向间隔排布且沿第三方向延伸的多条字线,第一台阶区域包括多个第一连接结构和多个第一导电结构,第一导电结构通过第一连接结构耦接至字线;其中,第一连接结构和字线沿第一方向的尺寸相同,第一方向、第二方向和第三方向之中任意两者均相交。

天眼查资料显示,长鑫科技集团股份有限公司,成立于 2016 年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 6019279.7469 万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了 16 家企业,参与招投标项目 1089 次,财产线索方面有商标信息 332 条,专利信息 725 条,此外企业还拥有行政许可 44 个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为 AI 基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

本文源自:市场资讯

作者:情报员

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