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长江存储申请半导体器件及其制备方法、存储器系统专利,提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统
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长江存储申请半导体器件及其制备方法、存储器系统专利,提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统

市场资讯 2026-10-24 12:32:00

国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为 " 半导体器件及其制备方法、存储器系统 " 的专利,公开号 CN122970887A,申请日期为 2025 年 4 月。

专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件包括:半导体主体、栅极结构、栅介电层以及第一导电结构。半导体主体沿第一方向延伸,并在第一方向上依次包括第一部分、第二部分以及第三部分;栅极结构位于第二部分在第二方向上的一侧,并沿第三方向延伸;栅介电层位于栅极结构与第二部分之间;第一导电结构位于第二部分在第二方向上背离栅极结构的一侧,并沿第三方向延伸,其中,第一导电结构与第二部分接触;其中,第一方向、第二方向以及第三方向彼此相交。

天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于 2016 年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 12469608.0404 万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了 3 家企业,参与招投标项目 1506 次,财产线索方面有商标信息 1032 条,专利信息 6332 条,此外企业还拥有行政许可 1243 个。

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