中泰证券发布研究报告称，在 AI 算力功耗呈指数级跃升的背景下，陶瓷基板正从传统封装材料升级为算力硬件的核心刚需，其中氮化铝 ( AIN ) 基板凭借优异热导率、合适热膨胀系数、低介电损耗、良好机械性能等综合优势，成为功率半导体器件散热与电路承载的关键衬底材料。全球 AIN 基板呈现日本主导、中国追赶的竞争格局。国内企业迎历史性替代机遇，正加速构建 " 粉体 - 基板 - 金属化 " 纵向一体化布局。

中泰证券主要观点如下：

需求端：AI 产业链四大场景共振，拉动 AlN 基板量价齐升

①高速光模块：800G 开始导入 AlN 材料，1.6T 中成为必选，典型产品有陶瓷基板及 TEC 冷却片等。据测算，2026、2027 年 AIN 基板 ( 包含 TEC 冷却片用陶瓷基板 ) 总需求量分别为 5.94、8.96 亿片，2027 年同比增长 50.84%; 对应市场规模分别为 7.50、13.18 亿美元，2027 年同比增长 75.73%。后续随 3.2T 及更高速率光模块逐步规模化落地，算力场景下芯片散热需求进一步提升，AIN 基板市场空间有望继续上行。

② CPO 共封装光学 /NPO 近封装光学：光引擎与交换 / 计算芯片高密度集成带来严重热串扰，TEC 制冷片是激光器精准温控的核心方案，AlN 基板作为 TEC 三明治结构不可或缺的核心基材，新场景下需求有望提升。

③ GPU-HBM 热管理：HBM 堆叠层数增加导致热点集中且散热路径受限，TEC 主动制冷成为破解堆叠热点的关键方案，AlN 基板作为 TEC 核心结构材料，有望在这一趋势中充分受益。

④ PCB/ 陶瓷 HDI 混压：算力芯片功耗持续突破传统材料性能边界，行业当前采用用 HDIPCB+ 局部嵌入陶瓷基板混压方案。当前 AI 服务器板卡中，陶瓷基板对传统 PCB 的替代比例已接近 30%，主要局部应用于 GPU 底部、正交背板等高发热区域，伴随芯片功耗上行，替代空间将持续扩容

供给端：稀土管制加速本土一体化布局，高端市场海外壁垒松动，国内企业迎来切入良机

全球 AIN 基板呈现日本主导、中国追赶的竞争格局。日本企业凭借粉体、烧结、金属化等各环节优势主导高端市场，京瓷、丸和、日本精密陶瓷三家垄断 80% 以上高端 DPC 基板 ; 国内厂商在中低端基板领域已实现规模化供货，目前正加速向高端市场突围。

稀土管制下，AIN 粉体成为卡脖子环节

上游粉体为决定基板性能的核心，氧含量、杂质、粒度直接影响成品热导率。高端 AlN 粉体长期被日美企业垄断，日本德山占据全球 70% 以上高端粉体份额，海外合计占据 90% 高端粉体市场。氧化钇是 AlN 烧结必需稀土助剂，受国内中重稀土出口管制影响，海外厂商面临原料断供与交期拉长，产能释放受限。国内企业迎历史性替代机遇，正加速构建 " 粉体 - 基板 - 金属化 " 纵向一体化布局。

氮化铝产业链涵盖上游高纯粉体、中游电子陶瓷制品 ( 含裸板及金属化 ) ，目前少数头部企业已打通全链条，实现垂直一体化布局。围绕上述产业链环节及技术演进趋势，建议重点关注：1 ) 粉体 - 金属化 - 基板一体化标的：国瓷材料、旭光电子 ;2 ) 氮化铝粉体新兴玩家：金博股份 ;3 ) DPC 载板、光通信基板及管壳领先厂商：富乐德、中瓷电子 ;4 ) 陶瓷混压 PCB 主要厂商：科翔股份。

风险提示：下游需求不及预期、技术迭代与路线替代风险、行业竞争加剧、稀土出口政策不确定性、第三方数据失真及信息滞后、数据结果测算偏差风险