国家知识产权局信息显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 太空异质结太阳能电池及其制作方法 " 的专利，公开号 CN122995317A，申请日期为 2026 年 7 月。

专利摘要显示，本发明公开太空异质结太阳能电池及其制作方法。所述太空异质结太阳能电池包括单晶硅片，所述单晶硅片的正面上依次形成有第一本征非晶硅层、N 型微晶硅层、第一透明导电膜层以及第一电极，所述单晶硅片的反面上依次形成有第二本征非晶硅层、P 型微晶硅层、第二透明导电膜层以及第二电极，所述单晶硅片上宽度为 0.2mm～0.8mm 的边缘区域及侧面上的绒面被抛光去除并且覆盖有氧化硅钝化层。本发明能降低 TCO 膜去除成本，并且避免干法刻蚀 TCO 膜导致的离子损伤以及氟残留污染，并且有效去除切割损伤，提高电池及组件的抗弯折能力、电性能及转换效率。

天眼查资料显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司，成立于 2013 年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本 23512.8795 万人民币。通过天眼查大数据分析，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 3 家企业，参与招投标项目 9 次，财产线索方面有商标信息 14 条，专利信息 150 条，此外企业还拥有行政许可 53 个。

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作者：情报员