SK 海力士第三季度实现营业收入 104.6155 万亿韩元、营业利润 83.3338 万亿韩元、净利润 39.7756 万亿韩元，单季营收首次突破 100 万亿韩元，营业利润率达 80%；营收环比增长 32%、同比增长 328%，营业利润环比增长 38%、同比增长 632%。

HBM4 于第三季度正式量产并出货，服务器 DDR5 出货量较第二季度增长超 40%，DRAM 整体位元出货量环比增长约 10%，平均售价环比上涨约 20%；NAND 聚焦 321 层 TLC 企业级 SSD 等高附加值产品，平均售价环比上涨约 20%。公司预计 HBM4 在第四季度出货量与营收将超过 HBM3E，并成为主流产品。

供给端约束持续强化。SK 海力士已与全球头部云服务商等 14 家核心客户签署五年期长期供货协议，锁定 2027 年、2028 年总产能的 50% 以上；计划于 2027 年大幅增加资本开支，推进龙仁一期工厂产能爬坡。公司判断，受先进制程技术难度与新建产能周期较长制约，存储市场供不应求格局将持续至 2030 年。

存储芯片主要包括 DRAM、NAND Flash 及堆叠封装的高带宽存储器 HBM，广泛应用于服务器、手机、PC 及 AI 算力设备。单台 AI 服务器 DRAM 用量约为传统服务器的 8 至 10 倍，NAND 用量达 3 倍以上，AI 算力扩张正推动存储从配套元器件升级为算力基建核心成本项。

TrendForce 预计 2026 年四季度一般型 DRAM 合约价环比上涨 10% 至 15%，NAND Flash 环比上涨 15% 至 20%；招商证券指出当季 DRAM 合约价环比涨 13% 至 18%、NAND 涨 10% 至 15%。长江证券数据显示，2025 年 7 月至 2026 年 9 月，DDR4 16Gb 价格由 8.79 美元升至 80.12 美元，DDR5 16Gb 由 6.11 美元升至 55.51 美元。涨价已由高端品类扩散至全品类，原厂先进产能优先转向 HBM 与高堆叠层数 NAND。

A 股存储芯片概念板块共 143 只个股，合计总市值约 9.48 万亿元。长鑫科技以 30113.39 亿元市值居首，中芯国际、北方华创分别位列第二、第三。机构一致预测，48 只概念股 2026 年净利有望翻倍：长鑫科技预计同比大增 90.2 倍，德明利增长超 19.8 倍，香农芯创、佰维存储、普冉股份增幅均超 10 倍，其余 43 股预测净利增幅均超 1 倍。

长鑫科技为全球第四大 DRAM 生产商，2026 年前三季度预计营收 2650 亿至 2700 亿元人民币，同比增加 2329.16 亿至 2379.16 亿元；第五代 DRAM 工艺平台已于 9 月量产，LPDDR5X 大容量产品同步推出，内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米；LPDDR6 于 8 月末量产，并在小米 18 Fold 完成全球首次商用。公司拟以超募资金推进总投资 241 亿元的研发项目与 108 亿元的后道测试基地二期项目。

兆易创新主营 NOR Flash、SLC NAND、利基型 DRAM 与 MCU，NOR Flash 全球市占率第二、SLC NAND 中国内地第一。公司表示利基型 DRAM 价格已连续数季度上涨，预计下半年温和上行；2027 年行业增量产能释放有限，供应紧张局面不会明显缓解。2026 年上半年实现营收 115.66 亿元，同比增长 178.67%。

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