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利润超千亿,“中国股王”还是跌疼了股民
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原创首发 | 金角财经(ID: F-Jinjiao )

作者 | 田羽

长鑫科技的千亿利润,没能挡住股价的大起大落。

10 月 28 日,长鑫科技又坐了一趟过山车:开盘涨超 4%,随后涨幅一度收窄至 0.28%,截至发稿,涨幅又回到 3% 以上。

但在这轮回升之前,这位曾经市值突破 4 万亿元的 " 中国股王 ",已经让股民挨了一个月的跌。公司股价从 9 月 23 日的 58.62 元,下探至 10 月 23 日盘中最低 38.75 元,一度跌去约三分之一。而它上市至今,也才刚满三个月。

偏偏长鑫的生意,好得惊人。今年前三季度,公司预计营收达到 2650 亿元至 2700 亿元,是去年同期的 8 倍多;归母净利润预计达到 1310 亿元至 1325 亿元,而去年同期还亏损 52.8 亿元。

面对股价波动,高盛依然维持看多立场,将目标价由 129 元微调至 130 元。若按约 678.84 亿股的总股本计算,其对应市值将达到约 8.82 万亿元,相当于当前市值的约 3 倍。

预赚千亿、国际大行看至近 9 万亿市值,投资者却开始担忧红利即将见顶。长鑫究竟能靠什么,才能让市场确信不只会赚这一轮的钱?

高盛看到了 9 万亿

先来看看长鑫科技的炸裂业绩。

业绩预告显示,2026 年前三季度,长鑫科技预计实现营收 2650 亿元至 2700 亿元,相比去年同期的 320.84 亿元,营收增加至原来的 8 倍多;归母净利润达 1310 亿元至 1325 亿元,相较去年同期 52.8 亿元的亏损实现爆发式逆袭。

事实上,仅今年上半年,公司营收就已达 1503.1 亿元,同比增长 873.6%;扣非归母净利润达 787.9 亿元,远超去年同期的亏损 23.9 亿元。

这轮赚钱的速度,连公司此前给出的预期,都没能跟上。

今年 5 月,长鑫在招股书申报稿中预测上半年营收为 1100 亿元至 1200 亿元,扣非归母净利润为 520 亿元至 580 亿元。最终落地的各项财务数据,均显著超越了预期上限。

最直接的原因,当然是存储芯片涨价。不过,行情再好,也得有合适的产品、有足够的产能,才能接住订单。长鑫过去几年的投入,恰好在这时候开始见效。

先看产品。

过去,长鑫的收入主要依靠 LPDDR 系列,也就是常见于智能手机等移动设备的低功耗内存。随着 AI 算力和数据中心建设升温,面向服务器、电脑等市场的 DDR 产品,开始贡献核心增量。

2023 年,DDR 产品营收占比仅约两成;而到了今年上半年,该比例已大幅提升至 46.22%,占据近半壁江山。长鑫的产品线,也随之从过去偏重的移动设备市场,进一步向电脑、服务器等领域扩展。

与此同时,工厂的生产能力也在增加。

2023 年末,公司固定资产账面价值为 844.52 亿元,到今年 6 月底已经增至 1815.63 亿元。仅 2025 年,合肥一期、合肥二期及北京生产线,就有约 520.15 亿元在建工程转入固定资产。

这些生产线也跑得更满了。公司 12 英寸晶圆生产线的产能利用率,从 2023 年的 87.06% 升至 2025 年的 95.73%,今年上半年继续保持高位。

不过,长鑫科技业绩虽然炸裂,但市场对此多少已经有了预期,因此股价突然反弹背后可能还有消息面的推动。

其中一条重磅消息就来自英伟达创始人黄仁勋。当地时间 10 月 22 日,黄仁勋在柏林 GTC 大会期间接受采访时表示,到 2029 年,内存芯片市场出现供应过剩的可能性不大。他还特别提到,英伟达是全球首家将 LPDDR 内存引入数据中心的公司,由此实现了显著的能效提升,未来仍会继续大量使用这类内存。

当被问及英伟达是否考虑与中国长鑫存储展开合作时,黄仁勋并没有直接否定,而是明确表示对此持开放态度。

卖方机构亦密集释放强烈看多信号。中国银河证券在 9 月下旬的研报中预测,到 2028 年,长鑫科技的年营收将突破 8500 亿元,归母净利润将超 5600 亿元。

高盛则基于三季度业绩指引,进一步上调了公司 2026 至 2030 年的盈利预测,核心依据在于中国本土 DRAM 需求的强劲释放,以及全球客户分散供应链带来的结构性红利。高盛将长鑫未来 12 个月的目标价微调至 130 元,维持 " 买入 " 评级。

若按 678.84 亿股总股本折算,130 元的目标价将推升长鑫科技总市值至 8.82 万亿元。参照 10 月 26 日收盘价及汇率计算,这一市值不仅将超越三星电子和美光科技,更相当于特斯拉总市值的 85% 左右。

至少在这些看多的研报里,长鑫最赚钱的时候,还没有到。

除了周期红利,

长鑫还有什么

近 9 万亿元的预期,不能只靠今年这一份利润来算。长鑫需要让市场相信,眼下的赚钱能力,还能维持相当一段时间。

难就难在,存储芯片恰好是一门周期性很强的生意。手机、电脑卖得好,芯片缺货、涨价,厂商便砸钱扩产。等新产能陆续投产,需求却可能已经降温,库存积压,价格下跌,厂商又得减产、清库存,等待下一轮复苏。

2022 至 2023 年的行业寒冬历历在目。2022 年 11 月,美光科技被迫宣布将 DRAM 和 NAND 晶圆投片量削减 20%。即便是全球存储巨头,也难逃周期下行时的战略收缩。

历史上,DRAM 行业存在清晰的 " 三年周期律 "。若按此规律推演,本轮始于 2025 年下半年的行业上行期,可能在 2028 年前后再次面临产能释放与需求放缓的考验。

市场核心的担忧在于:当本轮扩产产能全部释放后,是否存在足够的下游需求消化新增供给?

但这一次,需求确实有了变化。

不同于以往单纯依赖消费电子(手机、PC)换机潮驱动,AI 基础设施的建设正在为存储产业注入海量的刚性增量需求。

应用端的变化已经相当直观。

OpenRouter 披露,2026 年 9 月 14 日当周,该平台 Token 用量达到 128.4 万亿。希捷则在 2025 年投资者日援引 IDC 预测,2028 年全球全年创建和复制的数据量将达到 394ZB,相当于 2020 年 72ZB 的约 5.5 倍。AI 大模型的参数加载与实时推理,无一不需要海量高效的 DRAM 作为算力支撑。

更直接的证据,是科技公司正在花出去的钱。

根据 IDC 数据,全球 AI 基础设施支出从 2024 年的 1530 亿美元增加到 2025 年的 3180 亿美元,2026 年预计达到 4970 亿美元,同比增长约 56%;到 2030 年,有望达到 1.21 万亿美元,2025 年至 2030 年的复合增长率约为 30%。

这个数据关键在于,2028 年后 AI 基建投入仍有望继续高速增长,有望平抑过去 " 扩产即过剩 " 的剧烈波动。尽管价格短期仍会有所起伏,但本轮周期的景气持续时间有望大幅延长,从而改写传统的 " 三年周期律 "。

当然,再强的景气周期也不可能永远持续,无论是三年还是五年,存储芯片价格终究可能迎来调整。但相比三星、SK 海力士、美光这些海外巨头,长鑫科技还有一张特殊的牌,那就是国产替代。

在供应链安全与技术自主可控的趋势下,国内科技企业在芯片采购中,将供应链的安全性与稳定度提升到了前所未有的战略高度。

2023 年,六部门提出强化存力保障、推动先进存储技术创新。与此同时,美国自 2022 年以来持续收紧半导体出口管制,2024 年将限制扩大至更多制造设备、软件工具及 HBM 等领域,2025 年又调整在华外资晶圆厂的相关豁免安排。

这让国内科技企业采购芯片时,除了价格、性能,还要考虑供货能否长期稳定。

长鑫作为国内少数具备大规模 DRAM 研发制造能力的企业之一,有望承接更多国产替代需求。目前,长鑫已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、vivo、传音、荣耀、OPPO 等头部企业开展合作,产品覆盖云计算、服务器、电脑和手机。

对三星、SK 海力士、美光而言,增长主要来自全球需求扩张、产品升级和市场份额竞争。而长鑫则在这些机会之外,多了一层国产替代空间。即便行业增速放缓,它仍有机会争取缓解周期阵痛、继续增长。

这或许才是长鑫在本轮周期中,被高盛喊出近 9 万亿、甚至市值超过海外巨头的关键。

钱赚到了,

追赶还没有结束

资本市场的狂欢之外,决定长鑫科技最终命运的,依然是其能否在先进制程与前沿技术上全面缩小与国际巨头的差距。

这场技术追赶,长鑫已经持续投入了多年。

2023 年至 2025 年,公司研发投入从 46.70 亿元增加到 95.93 亿元,两年增长一倍多。2026 年上半年,又投入 68.59 亿元,同比增长 87.38%。截至今年 6 月底,公司拥有 4484 项境内专利,其中发明专利 3744 项,另外还有 3400 项境外专利。

研发成果也逐步实现了商业化落地。公司产品线已成功从早期相对成熟的 DDR4、LPDDR4X,跨越升级至 DDR5、LPDDR5X 及新一代 LPDDR6,市场覆盖面显著扩大。

2026 年 9 月 20 日,长鑫正式宣布其第五代内存技术平台(G5 平台)实现量产,标志着公司迎来又一重要技术里程碑。

这次升级的意义,首先体现在芯片产出上。按每颗芯片容量同为 8Gb 的口径折算,G5 平台每片晶圆能产出的芯片数量,比上一代至少增加 50%。投入差不多的晶圆,长鑫能够生产出更多芯片,也就有机会把单颗芯片的制造成本进一步降下来。

支撑这一变化的是制造工艺的持续改进。比如,长鑫通过调整工艺流程、引入新材料,将存储电容的深宽比提高到了 45 ∶ 1,通俗来说就是在很窄的空间里,把电容结构做得更深,让有限的芯片面积能够容纳更多存储单元。

此外,在这次大会上,长鑫展示了两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 移动内存产品,单颗容量达到 24Gb,比 2025 年推出的上一代 16Gb 产品增加了 50%。两款产品采用不同的封装规格,分别为 496Ball 和 245Ball,可以满足中高端智能手机、便携式电子设备等不同需求,目前都已进入规模量产阶段。

在高端移动存储领域,长鑫同样取得了实质性突破。

9 月 7 日,长鑫宣布 LPDDR6 成功实现量产商用,并首发搭载于小米 18 Fold 折叠屏旗舰手机。该产品封装容量为 16GB,峰值传输速率高达 12800Mbps。

然而,面对全球三大存储巨头的技术演进,长鑫的技术追赶依然面临不小的代际差距。

在先进制程上,三星早在 2023 年 5 月即量产第五代 12 纳米级 DRAM,并于 2026 年 2 月实现采用第六代 10 纳米级工艺(引入 4 纳米逻辑制程)的 HBM4 量产;SK 海力士与美光的第六代技术平台也已实现规模化出货。

在 LPDDR6 商业化进程上,SK 海力士于今年 3 月宣布完成 LPDDR6 开发,传输速率达到 10700Mbps,并计划在下半年开始供货。三星的 16GB LPDDR6 已通过高通新一代骁龙平台验证;美光亦已向客户送样。

更值得关注的差距,在 HBM。

作为 AI 算力芯片的核心配套,HBM 是海外巨头盈利能力最强、竞争最激烈的战场。今年 2 月至二季度期间,三星、美光与 SK 海力士已先后宣布实现 HBM4 的规模化量产与客户出货。

相比之下,长鑫尚未公布同等商业化阶段的 HBM 规模量产和业绩贡献数据。

对于长鑫科技而言,本轮存储超级周期最大的意义,或许在于为其赢得了宝贵的 " 战略缓冲期 ":芯片涨价带来了丰厚的利润现金流,AI 浪潮开辟了长期的需求空间,而国产替代则锁定了坚实的本土基本盘。

三股力量叠加,长鑫得到的不只是眼前的业绩爆发,更是持续投入研发的资金、扩大生产规模的市场,以及追赶国际巨头最宝贵的时间。

参考资料:

财新《长鑫科技上半年营收增长近 9 倍归母净利润扭亏为盈达 788 亿元》

财新《长鑫科技第五代技术平台量产存储密度、功耗、成本控制均提升》

中国银河证券《长鑫科技:稀缺 DRAM 厂商,国产替代从 0 到 1 突破》

西南证券《长鑫科技:AI   浪潮带动需求爆发,国产   DRAM   龙头乘势而起》

出品人 :卢桦

主编 :  袁明武  责编 :角爷

版式 :伊妍

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