快科技 10 月 28 日消息，英飞凌宣布在奥地利菲拉赫建设全球首条 300 毫米氮化镓功率半导体量产线，投资约 11 亿欧元（快科技注：约 81.5 亿元人民币），生产预计 2027 年年底启动。

英飞凌本就是氮化镓晶圆技术的世界领先者，这次把晶圆尺寸从 200 毫米升级到 300 毫米，尺寸一上去，每片晶圆能切出的芯片数量变成原来的 2.3 倍，单位芯片的成本自然往下掉。

项目利用菲拉赫现有厂的洁净室和配套基础设施，英飞凌自己的说法是这样扩展产能最高效、最省钱。

奥地利政府还给了一笔 3.19 亿欧元（快科技注：约 23.7 亿元人民币）的补贴，依据是欧盟芯片法案下的技术主权条款。

英飞凌 2023 年 10 月收购了加拿大 GaN Systems 公司，花了 8.3 亿美元（快科技注：约 55.3 亿元人民币），这笔收购被视为它在氮化镓上加速的起点，两年前英飞凌就在 300 毫米氮化镓晶圆上跑通了工艺，这次是把工艺搬到量产线。

氮化镓相比硅的优势在于开关效率更高、电子迁移率更大、耐压更好，能做出更小、更高效、发热更低的电源系统。

现在氮化镓已经用在充电器、适配器、电机控制里，AI 系统的供电、太阳能逆变器、电动汽车和机器人也在陆续导入。

Yole Group 今年 7 月发布的研究预估，到 2031 年氮化镓功率半导体市场约 35 亿美元（快科技注：约 234.1 亿元人民币），2025 到 2031 年年均增长约 35%。

300 毫米量产一旦把氮化镓的成本压到硅的水平，它在成本上不如硅的这个老问题就能大幅缓解。

英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 的表态是，这是英飞凌对强化欧洲半导体生态和欧洲技术主权的明确承诺，把创新领导力转成客户能直接用的效益。

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