快科技 10 月 28 日消息，SK 海力士在 2026 年第三季度财报电话会上明确表态，现阶段的首要任务是最大化现有 6F ² DRAM 架构的潜力，而非急于转向 4F ²。这与美光此前 "4F ² 不在路线图上 " 的明确拒绝形成了策略上的分野。

SK 海力士 DRAM 营销负责人朴俊德指出，公司已经通过 EUV 光刻与工艺创新，为 6F ² 平台争取到了进一步微缩的技术空间。在量产稳定性和成本竞争力均已验证的前提下，继续深耕 6F ² 是当前最有效率的选择。

但这不等于 SK 海力士放弃了下一代架构。该公司明确表示，4F ² 与 3D DRAM 的阶梯式技术路线图仍在推进，将根据各项技术的成熟度与经济性，在合适的时机导入对应产品。

从技术指标看，4F ² 将单元面积从 6F ² 的 3F*2F 压缩至 2F*2F，理论面积缩减约 33%，密度增益显著。但 SK 海力士强调，新架构从技术实现到商业落地之间存在巨大鸿沟，性能之外还需跨过良率、可靠性、成本与客户验证等多重门槛。

美光的立场恰好印证了这种谨慎。其 CTO 德博尔表示，研究 4F ² 超过 20 年，工艺复杂度与制造成本的上升抵消了密度收益，因此美光选择跳过 4F ²，直接聚焦 6F ² 优化与 3D DRAM。

对于 SK 海力士而言，EUV 延寿 6F ² 与同步开发 4F ²、3D DRAM 的两手策略，本质上是在用成熟工艺的现金流为下一代技术争取时间。技术路线上的分歧，最终将由量产成本与市场节奏来裁决。

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