HBM4 将成为第四季度主流产品。

作者 |  崔嫄伟

编辑 |  陈骏达

芯东西 10 月 28 日报道，今日，SK 海力士发布 2026 年第三季度财报。该公司第三季度实现营收约104.62 万亿韩元（约合人民币 5206.5 亿元），首次单季营收突破 100 万亿韩元，环比增长 32%，同比增长 328%。

此外，其营业利润为83.33 万亿韩元（约合人民币 4147.0 亿元），环比增长 38%，同比增长 632%；净利润为39.78 万亿韩元（约合人民币 1979.7 亿元），净利率 38%，同比增长 216%。

其第三季度毛利达 89.65 万亿韩元（约合人民币 4461.5 亿元），毛利率为 86%，环比提升 3 个百分点、较去年同期的 57% 大幅走高。

SK 海力士称，本季度营收与营业利润创历史新高，受益于 AI 内存需求拉动产品涨价及高附加值产品出货。

该公司总裁兼 CEO 郭鲁正提到，基于已经敲定的长期供货协议（LTA）订单加当前和客户正在磋商的需求，未来三年直至 2029 年，DRAM 以及 HBM 产能实际上已经近乎售罄。

SK 海力士判断受先进制程技术难度大、新建产线周期长制约，存储器需求超过供给的格局将持续到 2030 年；第四季度 HBM4 在出货量与收入上预计将超过 HBM3E，成为主流产品；2027 年资本开支将较 2026 年显著增加，龙仁一期产线将进入全面运营。

截至昨日收盘，SK 海力士股价为 145.36 美元 / 股（约合人民币 969.3 元 / 股），较昨收价 142.62 美元 / 股（约合人民币 951.1 元 / 股）上涨 1.92%，总市值约为 1.03 万亿美元（约合人民币 6.9 万亿元）。

01.

DRAM 占收入超 70%

年内股东回报约 100 万亿韩元

SK 海力士核心业务为 DRAM 与 NAND 闪存两大类。

按产品划分，该公司第三季度 DRAM 业务带来约 78.5 万亿韩元（约合人民币 3904.9 亿元）收入，贡献总营收的 75%；NAND 业务收入为 25.1 万亿韩元（约合人民币 1249.6 亿元），占收入的 24%；其他占 1%。

按应用端划分，SK 海力士 DRAM 收入中服务器与含 HBM 的图形业务占比逐季提升；PC、消费与移动业务占比相应收窄，反映 AI 服务器需求对 DRAM 收入结构的持续拉动。

NAND 端，其 SSD 收入占比从 2025 年三季度至 2026 年三季度逐年上升，移动与 U 盘、存储卡类业务占比下降，企业级 SSD 成为 NAND 收入的主要来源。

SK 海力士的业绩指引显示，其第四季度 DRAM 业务量环比有望增长 20% 左右，主要由 1c 制程扩张与 M15X 爬坡推动；NAND 业务量环比增长中个位数（含 Solidigm），由 321 层 eSSD 销售带动。该公司预计 2027 年 DRAM 可实现需求同比增长 20% 左右、NAND 增长高十几个百分点。

截至第三季度末，SK 海力士财务结构也趋于稳定，其现金及现金等价物 114.46 万亿韩元（约合人民币 5696.2 亿元），债务降至 15.80 万亿韩元（约合人民币 786.3 亿元），净负债权益比由一年前的 24% 降至 5%。

股东回报方面，该公司 2026 财年股东回报总额约100 万亿韩元（约合人民币 4976.6 亿元），其中现金分红 30 万亿韩元（约合人民币 1493.0 亿元）以上、回购并注销 60 万亿韩元（约合人民币 2986.0 亿元）以上，承诺返还 50% 以上自由现金流。

02.

存储短缺持续到 2030 年

预计 HBM4 将成为主流产品

在电话会议上，SK 海力士预计，AI 使用普及与基础设施投资扩张已形成正向循环，全球 AI 数据中心基础设施市场到 2030 年将以40%的复合增速扩张，2027 年全球头部云服务商资本开支同比增长 60%以上。短期增长由企业级与个人 AI 驱动，中长期由自动驾驶、机器人等物理 AI 拓宽需求边界。

对此，该公司评估，目前其供应增长速度跟不上市场增长速度，鉴于尖端工艺的技术难度以及新建生产设施所需的时间较长，预计供不应求的局面将持续到 2030 年。

关于 AI 需求能否持续，郭鲁正给出两点判断：头部云厂商 AI 业务已兑现营收，云业务同比增速达 30%-80%，未交付订单同比增长 2-5 倍；同时投资主体正从少数科技巨头扩展至传统企业自建、主权 AI 和本地部署需求，单一客户调整投资节奏可被其他领域对冲。

为进一步提高其产品竞争力，SK 海力士计划加快扩大产能，以保持目前的增长势头，并在明年进一步扩大收入和利润。

首先，该公司计划迅速提高其 10nm 级第六代（1c）工艺技术的份额，并扩大面向 AI 服务器的DDR5和LPDDR5 SOCAMM的销售，从而进一步加强其以高附加值产品为中心的 DRAM 产品组合。

为应对 HBM 需求的激增，SK 海力士计划在年底前将 M15X 生产线产能提升至满负荷，以提高HBM4的产量。因此，该公司预计 HBM4 在第四季度的出货量和收入都将超过 HBM3E，并确立其主流产品的地位。

针对 HBM4 供货方面，在财报电话会议上HBM 营销负责人金基泰披露，  HBM4 良率超原定目标，已上调良率目标，HBM3E 也超出成熟良率目标。HBM4E 样品已于今年第二季度交付，开发验证紧跟客户时间表。针对客户系统和工作负载做定制优化的定制 HBM 重要性持续提升，他们已与核心客户开展相关项目。

谈及下一代 DRAM 技术 4F ²，郭鲁正称，现阶段该公司充分挖掘 6F ² 架构潜力，依托 EUV 光刻延长 6F ² 平台生命周期。其同步研发 4F ² 和 3D DRAM，但需良率、可靠性和成本验证完成后才商业化。目前，该公司已准备分阶段技术路线，涵盖现有 DRAM 深度微缩、4F ² 和 3D DRAM，待各项技术在性能和经济性上成熟后再落地。

在 NAND 闪存领域，该公司计划在第四季度将其 321 层工艺的产能占比提升至国内产能的一半以上，从而增加高性能、大容量 eSSD 的供应。中长期来看，该公司计划基于 HBF 和系统优化技术，将 NAND 闪存发展成为提升 AI 服务吞吐量和经济效益的核心解决方案。

针对 KV cache 带来的 NAND 新需求，SK 海力士 NAND 营销负责人宋昌锡介绍，智能 Agent 和超长上下文场景使 KV cache 体量快速膨胀，HBM 和 DRAM 面临容量和成本瓶颈，分层存储架构成为关键。

该公司正在开发SALT-KV 软件和基于 CXL 的 CMM-Hybrid 混合内存技术。中长期计划推出 HBF 产品，兼顾高带宽与 NAND 大容量低成本优势，填补 HBM 与 SSD 之间的新存储层级。

被问及产能扩大是否会有过剩风险，SK 海力士 CFO 金宇铉称，新建工厂不等于供给同比例扩张，HBM 等高端产品工艺复杂度上升，制程微缩带来的比特增量存在约束。

龙仁产业集群等新工厂将加快厂房外壳建设，但洁净车间分多期逐步投用，保留灵活调节余地。投资决策同时核查客户财务健康度和融资能力，该公司保留净现金安全垫，需求不及预期时可灵活调整投资进度。

需求锁定方面，SK 海力士披露，其已与14 家关键客户（含全球头部云服务商）签订长期供货协议（LTA），标准合同期五年，并在与部分客户协商延期；合同价格在双方约定区间内反映市场行情，并设置定金等履约保障条款，锁定量对应 2027 至 2028 年总产能的 50% 以上。

同时该公司 2027 年资本开支将较 2026 年显著增加，投向先进制程组合、龙仁一期（Y1）产线爬坡，以及韩国本土与海外的基础设施投资；扩产规模与时点将在客户需求、产品竞争力、盈利性与投资效率之间灵活权衡。

对于此前 SK 海力士终止旗下企业级 SSD 子公司 Solidigm IPO 审查，郭鲁正回应，" 此次 IPO 旨在为 Solidigm 的生产设施扩建筹集外部资金，从而减轻我们自身的投资负担，并扩大股东回报能力，然而，在仔细考虑了近期金融市场状况和其他因素后，我们认为此时推进 IPO 并非实现原先预期目标的最佳途径。因此，我们已终止 IPO 计划。"

03.

结语：长期协议对冲周期

HBF 切入 AI 存储架构

存储行业长期受困于 " 扩产即过剩 " 的周期波动。SK 海力士当前的策略是通过长期协议（LTA）来对冲这一风险：用五年长约锁定 2027 至 2028 年超 50% 的产能并收取定金，同时将建厂进度与客户的财务健康度挂钩，加上极低的负债率，有效降低了重资产扩张在弱周期下的隐患。

在技术演进上，随着大模型长上下文的普及，AI 服务器完全依靠 HBM 成本过高，而传统 SSD 速度不足。SK 海力士正推进 HBF 与 CXL 混合内存技术，想要填补 HBM 与 SSD 之间的存储层级空白。通过提供这种高低搭配的存储方案，SK 海力士正打破单纯出售标准存储硬件的边界，进一步深入到 AI 数据中心底层架构的设计与定义中。