长江存储申请半导体器件及其制备方法、存储系统专利，栅极切口结构位于栅极结构的两端

市场资讯 2026-10-30 12:51:06

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为 " 半导体器件及其制备方法、存储系统 " 的专利，公开号 CN122995133A，申请日期为 2025 年 4 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括栅极组件、隔离结构、栅极切口结构和多个半导体主体，栅极组件沿第一方向延伸并包括两个在第二方向上相对设置的栅极结构，隔离结构与栅极组件在第二方向上交替分布并沿第一方向延伸，多个半导体主体在第二方向上位于相邻的栅极组件与隔离结构之间并沿第三方向延伸，栅极切口结构位于栅极结构的两端，在与第三方向相交的方向上、栅极组件的两个栅极结构的端部分别延伸至栅极切口结构，一个或多个半导体主体在第二方向上位于栅极组件背离栅极切口结构的一侧，第一方向、第二方向和第三方向两两相交。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于 2016 年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 12469608.0404 万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了 3 家企业，参与招投标项目 1508 次，财产线索方面有商标信息 1032 条，专利信息 6363 条，此外企业还拥有行政许可 1243 个。

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