快科技 10 月 30 日消息，欧盟委员会近日正式批准向英飞凌提供 3.19 亿欧元（快科技注：约合人民币 23.86 亿元）国家补贴，用于在奥地利菲拉赫工厂建设全球首座 300mm 氮化镓功率半导体大规模量产线。

该项目总投资约 11 亿欧元（快科技注：约合人民币 82.27 亿元），计划 2027 年底前产出首批产品。

氮化镓（GaN）被视为硅在功率电子领域的替代方案。相比传统硅器件，GaN 功率晶体管能在更高开关频率下以更低损耗运行，使电源和电压转换器做得更紧凑、更高效。在 AI 算力功耗持续攀升的背景下，这一特性正变得至关重要。

晶圆尺寸升级是降本的关键。此前 GaN 功率半导体主要在 200mm 晶圆上制造，英飞凌在 2024 年率先跑通了 300mm GaN 晶圆加工。300mm 晶圆面积是 200mm 的 2.25 倍，单片可产出的芯片数量达到约 2.3 倍，单位芯片成本有望显著下降。

技术迁移到量产并不轻松。英飞凌计划利用菲拉赫现有洁净室空间和基础设施进行改造，而不是新建厂房。更大的晶圆面积本身不自动保证低成本，晶体质量、缺陷密度和工艺均匀性才是新材料量产的核心门槛。

AI 数据中心是这套产能的首要落点。英飞凌 CEO 哈内贝克明确表示，300mm 大规模量产将扩大 GaN 在功率电子中的使用范围。

该公司同时正在为英伟达 800V AI 数据中心架构开发 GaN 功率转换方案，机架功耗向兆瓦级迈进时，供电效率直接决定算力上限。

从 200mm 到 300mm，GaN 功率半导体第一次走出实验室规模，进入真正的工业量产轨道。欧盟用 3.19 亿欧元补贴押注的，不只是一条产线，而是 AI 时代电力转换效率的底层话语权。

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