快科技 10 月 30 日消息，长鑫科技晚间发布 2026 年第三季度财报，第三季度（7-9 月）实现营业收入 1187.14 亿元，环比增长 19.30%；净利润约 889.83 亿元，环比增长约 19.38%。

前三季度实现营业收入 2690.24 亿元，同比增长 738.51%；归属于上市公司股东的净利润 1320.4 亿元，同比扭亏为盈。

长鑫表示，营收大幅增长主要得益于全球算力需求快速攀升和主要厂商产能调配等因素，全球 DRAM 产品供不应求。公司产能建设和产品结构不断优化，产品销售数量和销售价格大幅上涨，带动营业收入大幅增长。

利润方面，DRAM 市场供不应求对产品价格快速拉升，公司产品量价齐升，同时单位成本随规模效应和精益生产管理持续下降，产品毛利大幅上升。

研发投入方面，长鑫前三季度研发费用 110.71 亿元，同比增长 73.03%，研发投入占营收比例为 4.12%。第三季度单季研发投入 42.12 亿元，同比增长 53.83%，占营收比例 3.55%。

长鑫还透露，报告期内在新产品推出方面取得突破性进展，基于第六代技术平台开发的 DRAM 产品已完成工程样片验证。

据快科技了解，长鑫 G6 平台将继续采用 DUV 光刻工艺，芯片单元面积从 G5 的 0.00128205 平方微米缩减至 0.000896 平方微米，缩小约 30%。

另外长鑫第五代 DRAM 平台（G5）已于 2026 年 9 月 20 日在世界制造业大会上宣布正式实现量产，通过四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

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