快科技 11 月 2 日消息，长鑫科技近期在 4F ² 垂直沟道 DRAM 架构上取得关键进展，并计划年底推出基于该架构的 DDR5 RDIMM 服务器内存。

该消息引发了我国台湾地区市场热议，财信传媒董事长谢金河 11 月 1 日以 " 长鑫挥一拳，内存全趴下 " 为题发文，称市场担忧大陆产能一旦全面开出，存储行业可能重演电动汽车式的价格破坏战。

4F ² 之所以被市场放大，是因为它改的不是制程节点，而是存储单元本身。主流 6F ² 架构的单元面积为 3F × 2F，4F ² 压缩到 2F × 2F，理论面积缩减约三分之一，同片晶圆裸片数可提升 20% 至 30%。

代价是晶体管必须从水平转为垂直沟道，工艺复杂度显著上升。长鑫选择的是一条比跟随三星更激进的路径：在平面微缩接近极限的节点上，直接重构晶体管结构。

然而，美光给出了截然相反的答案。其总裁 Scott DeBoer 明确表示，美光研究 4F ² 超过二十年，判定该路线缺乏可量产的规模化路径，将坚守 6F ² 并转向 3D DRAM。

一边是长鑫在 4F? 上抢跑，一边是美光直接跳过，存储行业第一次在平面微缩的终点前出现了清晰的技术分野。然而，在资本市场和业内看来，这场技术路线的分野，正被放大为一场潜在的产能与价格冲击。

正是基于这种对大陆产能释放的担忧，谢金河用 " 犀牛撞进瓷器店 " 来形容长鑫的这一击。

客观来说，价格战是否真的会爆发，最终取决于长鑫 4F ² DDR5 RDIMM 的送样验证和良率爬坡速度，而非架构本身有多先进。但预期往往比现实跑得更快，市场已经提前按 " 大陆要杀价 " 的剧本开始定价了。

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