最近，有媒体称，长江存储要进军 DRAM 内存领域，并且要将自己的 Xtacking 架构应用于 DRAM 内存上，进行降维打击。

关于 Xtacking 架构，很多人可能并不太清楚，长江存储称之为 " 晶栈 "，是长江存储的核心专利，这个技术是与混合键合技术是一体的。

我们知道，逻辑芯片是全部由晶体管组成，晶体管越多，晶体管越小，那么性能就越强，所以也就有了什么 7nm、5nm、3nm、2nm 这样的晶体管微缩技术，越来越小。

但存储芯片与逻辑芯片是不一样的，存储芯片是一个晶体管配一个电容，存储数据是放在电容中的，一个最小的单元，是 1T1C 结构，并不全部由晶体管组成。

同时存储芯片也不能一直持续进行物理微缩，厂商们发现，当微缩达到一定程度后，比如在 15nm 工艺前后，再进行微缩，会导致存储芯片不稳定，这是存储芯片的大忌。

又要提高工艺，又不能进行微缩了，这可怎么办？于是长江存储想出了办法，既然存储芯片由存储单元与外围电路组成，存储单元无法持续微缩，但这个外围电路可以啊，不如分开加工，然后再结合在一起。

这就是 " 晶栈 ® Xtacking ® "，实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，存储单元可以用稳定的工艺来制造，但外围电路可以用先进工艺制造，相互不影响，各自完成加工后，再将两者采用混合键合技术键合，合二为一，形成一个完整的芯片。

这一套技术，放在逻辑芯片上，确实没有太多用武功之地，但放在存储芯片上，那就真的是 " 核武器 " 了，因为不管是 NAND 还是 DRAM，原理都是差不太多的，都是晶体管 + 电容的结构，都是有存储单元 + 外围电路。

所以，基于晶栈技术，将两种不同的单元，分开两个总分，独立加工，选择最合适的工艺，再结合，这样性能更强，效率更高。

这也是为何长江存储要基于将 Xtacking 架构应用于 DRAM 上的原因，不知道接下来三星们，该怎么接招了。