截至 2026 年 11 月 9 日 09:33，科创芯片设计 ETF 国联安 ( 588780 ) 跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数 ( 950162 ) 强势上涨 2.13%。科创芯片设计 ETF 国联安盘中换手 0.93%，成交 764.93 万元。成分股力芯微上涨 5.80%，复旦微电上涨 4.72%，峰岹科技上涨 4.43%，寒武纪，芯原股份等个股跟涨。

科创芯片设计 ETF 国联安 ( 588780 ) 具备 20% 涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括 50 家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，" 含芯量 " 满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计 ETF 国联安 ( 588780 ) 是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。

消息面上，全球最大晶圆代工厂台积电正考虑进军先进存储芯片制造，以在快速扩张的 AI 硬件供应链中获取更大份额。知情人士称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，着手规划生产一种名为 3D DRAM 的先进存储芯片 —— 该架构通过垂直堆叠存储单元来提升容量，被视为应对 AI 算力对高带宽、高密度内存需求的关键方向之一。

国联民生证券发布研报称，持续看好本轮存储超级周期，AI 需求高景气、供给约束强化、长协锁定盈利、股东回报提升共同推动盈利中枢上移。需求端，AI 训练向推理及 Agentic AI 加速演进，不仅持续拉动 HBM 需求，也显著提升服务器 DRAM 和企业级 SSD 配置需求，存储需求由单一 HBM 向更广泛的数据中心存储扩散；同时，先进制程、封测及产能切换约束使供给扩张仍相对有限，DRAM 和 NAND 价格在高基数下仍有望延续上涨，价格上涨持续性明显强于传统周期。AI 正在推动存储行业由强周期向 " 高景气 + 高确定性 + 高股东回报 " 重估，当前仍处于超级周期盈利预期上修阶段，持续看好存储产业链。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：科创芯片设计 ETF 国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的 ETF 中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。