【CNMO 科技消息】先进 DRAM 的扩产竞赛，眼下卡在一台台设备的交付排期上。据媒体报道，三星电子与 SK 海力士正在竞争性下单采购极紫外（EUV）光刻机，两家投入规模都在 10 万亿至 20 万亿韩元区间（约 526 亿至 1053 亿元人民币）。阿斯麦已明确 2027 至 2028 年存在 EUV 供给缺口，能否锁定交付排期，成了两家扩产先进 DRAM 的关键。

DRAM

两家计划从明年起分批接收设备。SK 海力士今年 3 月披露，将采购价值约 11.95 万亿韩元（约 629 亿元人民币）的 EUV 设备，交付截止日为 2027 年 12 月 31 日。受供给紧张影响，核心设备交付周期已拉长到原先最长周期的两倍，两家正考虑提前下单，后续还可能视情况追加，资本开支进一步上行的可能性随之抬升。

三星的订单与其平泽基地的投资节奏匹配。去年 11 月，三星公布五年 450 万亿韩元（约 2.37 万亿元人民币）的本土投资方案，其中包含平泽 P5 产线，目标 2028 年投产，单座 P5 晶圆厂投资规模超过 60 万亿韩元（约 3158 亿元人民币）。行业预期，P5 一期洁净室工程明年上半年完工后设备将陆续进场，三星已为这条产线下单光刻设备。

EUV 依靠 13.5 纳米波长光源刻蚀电路，能减少过去靠多次曝光拆分图形的多重图形化工序。对 10nm 级第六代（1c）这类先进 DRAM 来说，随着电路间距继续缩小，使用 EUV 的工艺层数不断增加。集邦咨询称，SK 海力士计划在 1c DRAM 上把使用 EUV 的工艺层数推到 5 层以上，比上一代增加两层。

供给端的紧张在阿斯麦的三季报里已有体现：按当前规划，2027 至 2028 年 EUV 供给无法满足客户需求。今年 EUV 出货约 65 台，较去年的 44 台增长近 50%；即便 2027 年产能提升 30%、2028 年再扩 30%，供给依然不足。核心产品涨价的影响将于明年逐步体现，2028 年充分显现。今年三季度，存储客户已占阿斯麦整机销售额的 46%。

SK 海力士 DRAM 工厂

工艺积累上，三星 2020 年 3 月出货业内首款采用 EUV 的 DRAM 模组，目前是存储行业拥有 EUV 设备最多的厂商；SK 海力士 2021 年 2 月在利川 M16 工厂落地首台 EUV 设备，去年 9 月引入业内首台高数值孔径（High-NA）EUV 量产机台，三星则计划 2028 年把 High-NA EUV 导入 DRAM 量产。后端环节同样吃紧，韩美半导体与安靠的订单储备已排满两到三年，扩产重点集中在 AI 数据中心所需的热压键合机等关键设备上。