快科技 11 月 12 日消息，AI 发展这几年来，前几年都在讨论缺 GPU 算力芯片，这一年来内存成为关键，疯狂涨价 5-10 倍还各种缺货，科技巨头都头疼不止。

内存产能紧张有多个原因影响，主要推动力是 AI 所需的 HBM 内存会占据至少 3 倍通用内存的的产能，但这个原因不足以解释涨价 10 倍的事，说到底还是全球内存生产的垄断格局导致的。

尔必达、奇梦达等公司倒闭之后，全球内存市场格局长期是三足鼎立——三星、SK 海力士及美光，他们之前高峰期能占全球 95% 的市场份额，之前的第四大内存芯片公司华亚科被美光收购了，Nanya 成为新的第四。

不过长鑫科技这一年来迅速崛起，Q3 季度份额已经到了 9%，成为新的第四，南亚的产能占比不够看，但他们也计划大举投资内存，开始进入高端市场，甚至计划用 EUV 量产内存。

这五家公司的产品布局会影响大家未来选购内存的决定，韩国证券公司做了一个下一代 DRAM 内存产品路线图，原文是韩文的，让 AI 做成了中文版的，如下所示：

在内存技术路线上，当前的是 6F2 结构，是否转向 4F2 结构成为几家厂商的分歧，而转向 4F2 结构又要涉及晶体管结构的改变，会有 VCT 垂直沟道晶体管、VG 垂直栅、VSG 垂直环栅等几种构型。

具体来看，三星今年开发了 10a 工艺（严重怀疑原文写错，应该是 10c 还差不多），明年验证，2028 年量产，10a 到 10c 工艺都是 VCT 晶体管结构，10d 时代会转向 3DRAM。

三星也研究 4F2 结构多年了，也开发出了试验核心，不过他们是把 4F2 当作转向 3DRAM 的过渡。

SK 海力士也是从 4F2 VG 转向 3DRAM，期间也会有晶圆键合工艺推进。

美光是几家巨头中唯一明确不上 4F2 结构的，继续打磨 6F2 结构，期间也会有键合工艺，后续一步步推向 3DRAM。

长鑫虽然研发 4F2 结构比三巨头要晚，但他们是最积极转向的，也是第一个要正式量产 4F2 结构的，今年底就会有产品，而且会继续打磨 DUV 工艺的多重图案技术，弥补 EUV 的缺失。

南亚是几家中技术最弱的，也只会继续打磨 6F2 结构，明年 Q1 验证 1c 工艺（感觉这个有点高估他们了），后续还会有 EUV 工艺的内存开发。

总体来看，内存厂商中对 4F2 结构是有分歧的，美光明确不用，三星、SK 海力士会做为过渡，长鑫科技则是主推 4F2，在技术方向选择上走出了自己的路，也是内存技术首次由三巨头之外定了一个方向，最近这事在国外热议挺多，日韩对长鑫的决定还是蛮破防的，生怕技术方向被长鑫走对了，自己这边最后不得不跟。

这就好比当年 J20 飞机用了鸭翼设计，美国网友当年的嘲讽声好大，结果自家的 F47 最后跟风 J20 了，当年的嘲讽现在看起来是多么滑稽。

回到内存方向上来，不论对 4F2 的态度如何，内存技术的终局还得是 3DRAM，类似当年 NAND 闪存从平面转向立体堆栈一样，这其中还有各种键合技术的应用，就看哪家会在这个过程中脱颖而出了，可能是未来内存格局的一次洗牌。

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