长鑫主营 DRAM 内存芯片、HBM 高带宽存储,供应链分为上游设备 + 上游材料、中游封测 / 存储设计、下游模组 + 终端三层,国产配套持续放量,2025 年原材料采购规模超 114 亿元。
一、上游:半导体设备(产线固定资产,采购金额最大)
核心国产设备供应商
1. 北方华创 002371|第一大设备商
刻蚀、PVD 薄膜、清洗、氧化扩散全流程设备;长鑫设备采购占比 30% – 45%,DRAM 刻蚀机市占超 50%,覆盖 DDR5/HBM 产线。
2. 中微公司 688012
DRAM 深孔刻蚀、TSV、HBM 堆叠刻蚀;存储业务占自身营收 60%+,先进制程刚需设备。
3. 拓荆科技 688072
PECVD/ALD 薄膜沉积,DRAM 电容层核心设备,批量导入 17nm 及 HBM 产线。
4. 华海清科 688120
国产唯一 12 英寸 CMP 抛光设备,长鑫 17nm、HBM 产线主力抛光设备。
5. 盛美上海 688082
单片式清洗设备,全制程标配,湿法工艺刚需。
6. 其他配套设备
- 芯源微:涂胶显影;中科飞测:量检测;长川科技 / 精智达:晶圆测试设备
- 正帆科技、京仪装备:气体输送、洁净工艺配套;至纯科技:湿法清洗
海外核心设备(高端环节仍依赖)
光刻机(ASML)、部分离子注入、高端量测设备。
二、上游:半导体核心材料(持续耗材,年采购百亿级)
2025 采购结构:电子化学品 37.29%>光刻胶 12.16%>12 寸硅片 8.55%>电子特气 5.10%>靶材 2.21%。
1. 硅片(晶圆基底)
- 沪硅产业、立昂微、奕材:12 英寸抛光 / 外延硅片主力国产供应商
- 海外:信越、SUMCO(仍占较大份额)
2. 光刻胶及配套
- 彤程新材:KrF 光刻胶,28/19nm DRAM 国产主力供应商
- 雅克科技:光刻配套显影液、光刻配套材料
- 南大光电、容大感光:ArF/i 线光刻胶验证导入
3. 电子特气
- 广钢气体:大宗电子气体,合肥厂区长期协议供货
- 华特气体、金宏气体:高纯特种氟气、掺杂气体
4. CMP 抛光耗材
- 安集科技:抛光液,17nm DRAM 国产核心供应商
- 鼎龙股份:抛光垫,长鑫前五大材料供应商
5. 湿电子化学品
- 晶瑞电材:高纯酸碱、显影液、剥离液全品类供货
- 江化微、格林达、新莱应材:超高纯湿化学品
6. 靶材(金属布线)
- 江丰电子、有研新材:铜 / 铝 / 钛超高纯溅射靶材,一级供应商
- 阿石创:配套金属靶材
7. 前驱体 / 功能化学品
- 雅克科技:High-k、硅基 ALD 前驱体,长鑫前驱体采购占比超 60%,材料采购总额占 15% – 20%
三、中游:晶圆封测 + 存储设计协同
(1)封测(长鑫晶圆外发封装测试)
1. 深科技(沛顿存储)|最大外包封测
紧邻长鑫合肥厂区,承接超 60% DRAM 颗粒封测,产能持续扩产适配 DDR5/HBM。
2. 汇成股份:子公司鑫丰科技 DRAM 探针测试,长鑫收入占比极高
3. 太极实业(太极半导体):承接 20% 以上 DRAM 封测,合作超 9 年
4. 长电科技、通富微电、华天科技:常规 DRAM 封装 +HBM 先进 2.5D 堆叠封装
(2)存储设计(代工合作 + 股权绑定)
1. 兆易创新 603986
间接参股长鑫(前十大股东),自有 DRAM 全部委托长鑫代工,联合研发 DDR5,设计 + 制造深度协同闭环。
2. 东芯股份:中小容量 DRAM 代工
3. 北京君正:车规级 DRAM 晶圆代工
4. 澜起科技:DDR5 内存接口芯片,长鑫高端内存条标配配套芯片
四、下游:存储模组厂商(采购长鑫 DRAM 颗粒)
1. 江波龙:长期长协采购,服务器、工业级存储模组主力客户
2. 佰维存储:消费级、嵌入式存储模组深度绑定
3. 朗科科技、德明利:消费内存、SSD 模组厂商
4. 分销渠道:群联电子、联咏等主控厂商配套长鑫颗粒
五、终端应用市场(下游整机客户)
1. AI/ 服务器:浪潮信息、中科曙光、紫光股份(DDR5、HBM 核心需求)
2. PC 消费端:联想、惠普、戴尔、国内整机厂内存条
3. 移动终端:小米、OPPO、vivo 手机 LPDDR 内存
4. 车载、工控、物联网:车规 DRAM、工业级存储
六、供应链核心特点
1. 国产替代加速:前道设备、硅片、靶材、湿化学品国产化率逐年提升,HBM 产线同步导入国产装备;
2. 绑定深度分层:设备商订单弹性最强,材料耗材长期稳定放量,封测、模组随产能滞后受益;
3. 产业链闭环:兆易创新股权 + 代工协同,长鑫制造 + 本土封测 + 国产模组形成完整国产 DRAM 产业链;
4. 产能扩张驱动:IPO 募资 295 亿扩产 DDR5/HBM,全链条上游设备材料订单持续增长。
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