9 月 14 日消息，据台媒《经济日报》援引供应链消息报道称，晶圆代工大厂台积电正持续冲刺先进制程产能，并首次曝光了明年最新 2nm 和 3nm 的扩产目标。

报称，台积电 3nm 月产能去年底达 12 万至 13 万片后，今年底进一步扩增至 18 万片。虽然 2nm 量产后，3nm 已不是台积电最先进的制程，但市场需求仍强劲，台积电因而持续扩大 3nm 产能，目标明年中 3nm 月产能超 21 万片，半年内增加 16%，换算 2025 年底至 2027 年中的一年半内，增加近 70% 产能。

在 2nm 产能方面，供应链指出，台积电今年底 2nm 月产能将达 9 万片，明年中将进一步扩大至 11 万片，半年内增加 22% 产能。

台积电此前表示，2026 年资本支出将介于 600 亿美元至 640 亿美元，其中约 70% 至 80% 用于先进制程。 该公司正在新增三座 3nm 晶圆厂，分别位于中国台湾、美国亚利桑那州及日本，同时，台积电在中国台湾也在持续转换 5nm 设备来支持 3nm 产能。

台积电还在持续建设 2nm 以下更先进的制程技术发展，包括 A16、A14、A13、A12 等。 该公司日前并与 ASML 共同宣布发起合作，将推动高数值孔径极紫外光（High NA EUV）自当前的 6 英寸光罩，转移至更大的 12 英寸光罩。

近日，比利时微电子研究中心（IMEC）也宣布，携手 ASML 及材料供应商，成功利用 High NA EUV 单次曝光，完成 22nm 间距导线的单次图形化，较先前验证的 28nm 间距再进一步缩小。并验证多种接近实际芯片片设计的复杂结构，显示成熟 CAR 光阻技术有望延伸至 A14、A10 等埃米世代，应用于部分关键金属层与通孔层。

编辑：芯智讯 - 浪客剑