先把美光干掉

DDR6 内存预计将在 2028 年至 2029 年间进入商业化阶段，而国产 DRAM 制造商长鑫存储（CXMT）及其供应链已开始提前采取行动，目标是在三星电子和 SK 海力士进一步巩固全球市场份额之前抢占先机。

韩媒 ETNEWS 报道，为确保从 DDR5 向 DDR6 过渡的平稳高效，长鑫存储正在推动一项关键的生产工艺转型。在 DDR4 和 DDR5 的生产中，由于对基板层数要求较低，长鑫存储主要采用成本较低的 " 卷对卷 "（Reel-to-Reel）制造方法。

然而，DDR6 内存将采用更为复杂的多层设计，这对封装基板的层数和工艺精度提出了更高要求。传统的卷对卷工艺在盈利能力和生产效率上已难以满足新一代内存的需求。

为此，长鑫存储已引入新的供应链合作伙伴。韩国封装基板及导线架大厂海成 DS（Haesung DS）已于 2026 年第一季度通过了长鑫存储针对 DDR5 封装基板的最新质量验证，正式成为其供应链成员。针对 DDR6，海成 DS 正在推动采用全新的面板级（Panel-level）封装工艺。这种新方法能更好地支持下一代内存所需的多层设计，在维持高生产效率的同时避免技术瓶颈。

长鑫存储之所以如此急切地推进布局，与当前的市场格局密切相关。

受全球 DRAM 供应紧张影响，三星、SK 海力士等头部厂商的产能已趋于饱和，并将大量产能倾斜至利润更高的 HBM 等高端产品，导致常规 LPDDR 市场出现结构性供给缺口。这为长鑫存储提供了难得的发展机遇。

据报道，戴尔、惠普、联想等一线 PC 品牌均已完成了长鑫存储内存产品的验证，并锁定了优先供货资格，其现有订单排期已延伸至 2027 年末。目前，长鑫存储已是全球第四大 DRAM 原厂，市场占有率维持在 7.7% 至 8% 区间，合肥生产基地月产能约 30 万片晶圆。

长鑫存储的技术储备也在快速跟进。其 LPDDR6 存储芯片已完成工程送样，计划在 2026 年下半年实现全球首发量产，数据传输速率可达 12.8Gbps，技术指标直接对标三星和 SK 海力士的同期旗舰移动内存。更引人关注的是，苹果据报道已在测试长鑫存储的内存芯片。若通过认证，将意味着国产存储正式切入全球顶级终端供应链，这或将成为长鑫存储加速 DDR6 研发的重要动力。

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