《科创板日报》12 月 24 日讯 据韩国《朝鲜日报》今日消息，三星电子、SK 海力士等存储供应商已上调明年 HBM3E 价格，涨幅接近 20%。一般而言，在新一代 HBM 产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。

在这背后，是供需两端的共同作用。供应方面，存储厂商预计明年第六代 HBM（即 HBM4）需求将增加，加大对其产能投入，导致 HBM3E 产能遭到积压。

需求方面，除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加。

其中，英伟达 H200 芯片每颗搭载 6 颗 HBM3E；搭载 HBM3E 的谷歌第七代 TPU 和亚马逊 Trainium 将于明年开始出货，两款产品 HBM 搭载量均较上一代产品增加约 20% 至 30%，前者每颗搭载 8 颗 HBM3E，后者搭载 4 颗 HBM3E。

KB Securities 指出，由于 ASIC 需求激增，以 ASIC 为主要客户的三星，2026 年 HBM 总出货量将有望较 2025 年暴增 3 倍，预估将达 111 亿 Gb。且其预计明年 HBM 市场的营收占比将为 HBM4 占 55%、HBM3E 占 45%；从明年第三季度起，HBM4 将快速吸收 HBM3E 的需求。

值得注意的是，美光在上周的业绩会上，同样对 HBM 给出了乐观预期。

公司高管透露，公司 2026 年（日历年）全年 HBM 的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄；预计 HBM 总潜在市场（TAM）将在 2028 年将达到 1000 亿美元（2025 年为 350 亿美元），复合年增长率约 40%。美光预计 2026 年资本支出将达 200 亿元，用于支持 HBM 和 1-gamma DRAM 供应。

招商证券表示，预计存储产业后续 DRAM 和 NAND 资本开支将会持续增长，但对 2026 年产能助力有限，预计 2026 年 DRAM 和 NAND 资本开支分别同比增长 14% 和 5%，但扩产次序还是优先 AI 高端存储，NAND 类相对靠后。