中信建投：二季度 dram、 nand flash 合约价预估涨幅扩大
"nand" 相关文章
ai 需求强劲推动市场变化 dram、nand闪存价格持续上涨
兆易创新：预计 slc nand价格将温和上涨
sk 海力士针对端侧 ai 手机，开发新一代移动端nand闪存解决方案“ zufs 4.0 ”
sk 海力士宣布开发新一代移动端 nand 闪存解决方案“ zufs 4.0 ”
2024q2 存储产品价格涨幅扩大，dram 和nand闪存可达 18/20%
集邦咨询：第二季 dram 合约价涨幅上修至 13~18%，nand flash 约 15~20%
消息称三星明年推出第 10 代 nand：三重堆叠技术，最高 430 层
“鱼与熊掌兼得”，新型相变存储器问世：结合 dram 和 nand 优点
三星电子第九代 v-nand技术大幅提升位密度与生产效率
三星启动其首批第九代 v-nand 闪存量产
消息称三星电子nand产量大增 开工率重回 90% 高位
消息称三星电子nand厂开工率已提高至 90%
东芯股份：聚焦中小容量的nand flash、nor flash、dram 产品的研发、设计与销售
美光宣布量产 232 层 qlc nand闪存：接口速度达 2400mt/s 比上一代提高 50%
美光宣布量产 232 层 qlc nand闪存：接口速度达 2400mt/s 比上一代提高 50%
美光宣布量产 232 层 qlc nand闪存，将供应给客户端和数据中心产品
消息称三星电子本季度 nand 产能环比提升 30%，年内产能规模设限
受益于 ssd 价格持续上涨，三星和 sk 海力士在nand闪存业务或再盈利
三星下个月带来第 9 代 290 层 v-nand闪存，明年会有第 10 代 430 层产品
dram/nand 市场将在 2024 年复苏
消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 v-nand 闪存
西部数据确认 hdd 和nand闪存短缺，警告合作伙伴价格将上涨
西部数据称 hdd 和 ssd 出现供应短缺，nand闪存和硬盘产品正在调整价格
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 nand 闪存，重组存储级内存业务
铠侠目标 1000 层 3d nand闪存：计划 2031 年量产“千层面”
3d nand，1000 层
