快科技 2 月 3 日消息，TrendForce 集邦咨询发布最新存储器产业研报显示，受 AI 与数据中心需求持续激增推动，全球存储器市场供需失衡加剧，2026 年第一季度（Q1）DRAM、NAND Flash 各类产品价格全面大幅上涨，多个细分品类季增幅度创下历史新高，且不排除后续进一步上修的可能。

研报指出，此次价格上涨的核心驱动力来自需求端的爆发式增长。

随着 AI 推理应用场景持续扩大，北美、中国各大云端服务业者（CSP）、服务器厂商（Server OEM）对高性能存储器的备货需求强烈，而 PC 整机 2025 年第四季度出货量超预期，进一步加剧了 PC DRAM 的缺货态势，头部 PC OEM 厂商库存水平持续下滑。

供给端方面，存储器原厂更看好 DRAM 市场的获利前景，将部分产线转向 DRAM 生产，导致 NAND Flash 新增产能被压缩，仅能通过制程升级勉强提升单位产出，短期产能瓶颈难以缓解，原厂议价能力显著增强，市场呈现明显的卖方市场特征。

具体价格涨幅方面，DRAM 类产品成为上涨主力。

整体 Conventional DRAM 合约价季增幅度从 1 月初预估的 55%-60% 上调至 90%-95%；

PC DRAM（DDR4&DDR5 混合）价格预计季增 105%-110%，涨幅超一倍，创下历史新高；

Server DRAM 价格季增 88%-93%，Mobile DRAM 中 LPDDR4X、LPDDR5X 合约价季增均达 88%-93%，均为历年最高水平；

高带宽存储器（HBM）混合合约价也实现 80%-85% 的季度增长。

NAND Flash 类产品同样涨幅显著，整体合约价季增幅度从 33%-38% 上调至 55%-60%。

值得注意的是，手机厂商的存储器采购谈判进度存在差异。

美系手机客户 2026 年 Q1 的 Mobile DRAM 合约价已于 2025 年底完成议定，而中系手机客户受 2025 年第四季度合约价刚敲定及农历春节长假影响，相关谈判预计最快需至 2 月底才会取得实质进展。

此次存储器价格的大幅上涨，将对终端电子设备生产成本、供应链备货策略产生显著影响。