驱动之家 02-25
NVIDIA、苹果等百万年薪抢人!韩国HBM、NAND人才成香饽饽
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快科技 2 月 25 日消息,据报道,随着内存在 AI 算力中的战略地位飙升,美国科技巨头正掀起针对韩国存储人才的抢人大战。

报道称,美国科技巨头正在针对三星电子和 SK 海力士的工程师开展定向招聘活动,旨在缩小这两家公司在内存市场长期以来的领先优势。

本月早些时候,NVIDIA 发布了面向 HBM 开发工程师的职位空缺,基础薪资高达 258750 美元(约 178 万元人民币);苹果则在上个月发布了 NAND 产品工程师职位,年薪达到 305600 美元(约 210 万元人民币)。

报道进一步指出,中国台湾的联发科也加入了竞争,寻求 HBM 工程师,薪酬约为 260000 美元,高通同样开始在韩国招聘 3D DRAM 研发人员。

谷歌与博通作为 TPU 合作伙伴,同步在硅谷扩充 HBM 人才梯队,分别招募性能评估工程师和高频接口设计验证专家。

特斯拉 CEO 马斯克亲自转发韩国分公司 AI 半导体设计师招聘启事,美光同样激进,去年下半年起从三星、SK 海力士挖角工程师,据传为核心 HBM 专家开出两倍现有薪资加 3 亿韩元签约金的条件。

面对严重的人才流失,三星和 SK 海力士不得不采取激进的激励措施,SK 海力士在 2026 年初发放了创纪录的业绩奖金,金额高达月薪的 2964%;三星半导体部门也发放了年度总薪资 47% 的奖金,这也是自 AI 内存热潮以来的最高水平。

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