快科技 4 月 3 日消息，据韩国媒体报道，长江存储位于武汉的三期项目（第三座晶圆厂），预计将于下半年开始量产高堆叠层数 NAND Flash。

知情人士透露称，三期项目正在进行关键设备的最后安装，一期和二期产线已接近饱和状态。

目前长江存储一期产线月产量达 10 万片晶圆，二期产线月产约 6 万片，年产量从 2024 年的 129 万片增长至 2025 年的 177 万片，预计今年将接近 200 万片。

一旦三期项目全面投产，长江存储的 NAND Flash 产量预计将超越 SK 海力士（约 190 万片）和美光，跃居全球第三，仅次于铠侠（482 万片）和三星电子（468 万片）。

在技术层面，长江存储正在稳步提升 200 层堆叠 NAND Flash 的产能，并计划拓展服务器和移动设备市场份额，此外 300 层 NAND Flash 产品的良率预计今年趋于稳定。

更值得关注的是，长江存储的客户结构可能迎来重大突破，有报道称，一家海外智能手机品牌正在考虑采用长江存储的 NAND Flash，以应对当前 NAND 价格上涨带来的成本压力和供应风险。

若该合作确认，意味着长江存储已通过该客户在质量、可靠性和供应稳定性方面的严苛评估。

有半导体行业人士指出，这将标志着长江存储从以中国市场为主的格局，进入全球顶级手机制造商的供应链。