《科创板日报》5 月 12 日讯 过去几年，身处 DRAM 与 HBM 市场的激烈竞争之中，三星电子旗下众多新型半导体业务一度被搁置。而随着主要存储器业务趋于稳定，该公司或重启针对下一代半导体的推进工作。

据 ETNews 报道，三星电子 DS 事业部正在商讨恢复对下一代半导体的研发和投资。据悉，此次商讨的重点在于研发方向和设施投资的时间安排，包括下一代 NAND 闪存、化合物半导体以及基板。

知情人士透露，三星电子正在与合作伙伴公司分享有关技术开发和设施投资的信息，该公司认为其存储器领域的基本竞争力已恢复到一定水平，因此开始重启未来增长引擎的创新，预计一些新业务的关键计划将很快敲定。

在人工智能行业蓬勃发展的当下，哪些方向被三星视作未来增长引擎？

第十代 NAND"V10"

就在去年，三星电子曾计划于今年上半年建立第十代 NAND（V10）生产线，并在下半年开始量产。然而截至目前，采购订单尚未正式开始下达。

据报道，三星电子已经重启了关于 V10，即 400 层 NAND 的投资。由于层数显著增加，垂直堆叠存储单元之间用于信号交换的通道孔必须更深。为此，三星电子将采用低温蚀刻技术，目前正处于低温蚀刻设备供应商选择的最后阶段。

此外，V10 还将采用 " 晶圆间（W2W）" 键合，并引入用于精确切割晶圆的激光加工技术。这项技术旨在通过一种能够最大限度减少异物产生且不影响微电路的切割方法，来提高 NAND 闪存的性能和良率。

氮化镓和碳化硅

三星电子正在重启的另一项新业务是化合物半导体，氮化镓 ( GaN ) 和碳化硅 ( SiC ) 是其中的典型代表。早在 2023 年，三星电子便开始向 GaN 和 SiC 生产线转型，以最大限度地提高其 8 英寸半导体代工生产线的效率。

据悉，三星电子已与部分合作伙伴就 SiC 生产所需新增设备的规模展开讨论。业内人士预测，三星电子将于今年开始建立供应链，预计 2027 年将建成原型生产试点生产线，并将于 2028 年开始量产 SiC。

业内人士透露，三星电子已开始大力推进其 GaN 和 SiC 业务，并将其视作重要战略方向。

玻璃基板

据报道，三星电子正寻求通过与多家基板制造供应链企业合作来加速玻璃基板的普及应用。

玻璃基板是一种封装基板，其在高密度互连、高频信号传输等应用中展现出独特优势。业内人士表示：" 三星电子正在联系多家供应商，比较和分析玻璃基板的性能和质量。" 他还补充道：" 据了解，他们正在精心协调一项供应链多元化战略，以推进玻璃基板的引入。"

与此同时，SoCAMM 作为一种迅速崛起的低功耗内存模块，也有望成为三星电子的重点布局对象。据悉，三星电子正在为英伟达等人工智能应用大规模生产 SoCAM 2，预计将增加供应量以满足未来的需求。