IT 之家 5 月 13 日消息，韩媒 chosun 今天（5 月 13 日）报道称，全球存储厂正把产能转向 HBM 和高层数 3D NAND，传统 2D NAND 与 MLC NAND 供应迅速收紧。

IT 之家注：上文文末翻译有误，原文为去年（2025 年）

报道指出成熟制程存储芯片也开始出现明显缺货，64Gb MLC NAND 现货价据称较 2025 年底暴涨超过 300%，近期成交区间已到 20 至 28 美元。

图源：集邦咨询

该媒体认为导致 MLC NAND 现货价暴涨的一个重要原因，是三星自 3 月起逐步调整华城 Line 12 的 2D NAND 生产，并改造该厂作为 1c DRAM 的后段工厂。

该产线原本每月晶圆产能约 8 万至 10 万片，且被视为三星最后一处 2D NAND 主要据点。按照报道说法，三星将在下个月完成最后一批出货，随后结束相关供应，这会进一步压缩市场上的旧规格 NAND 货源。

与此同时，铠侠（Kioxia）、SK hynix 和美光（Micron）也没有扩大 MLC 产能的意愿。TrendForce 指出，这几家厂商目前基本只按既有客户需求维持生产，因此全球 MLC NAND Flash 产能预计将在 2026 年同比下滑 41.7%。

这类产品单颗单元存 2 bit，容量不如 TLC 和 QLC，但数据保存能力和耐用性通常更强，因此在部分工业、网络设备和嵌入式场景里，短期内仍难完全替代。

相比之下，头部厂商更愿意把资源投向 AI 带动的高利润产品。报道提到，三星正把 NAND 作为下一阶段重点，推进 400 层级 V10 产品。