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格林达 × 中芯国际 / 华虹 / 长鑫 / 长江存储：合作现状 + 分客户详解 + 中长期前景

核心结论：G5 级 TMAH 是四家晶圆厂光刻刚需，格林达国内少数 G5 量产落地，目前分层：中芯、华虹批量供货；长鑫小批量爬坡；长江存储产线验证收尾，未来 3 年随国产替代 + 存储扩产，从单一显影液拓展蚀刻 / 剥离 / 清洗全品类供货，半导体业务成为第二增长曲线。

一、分四家晶圆厂合作现状（2026 最新）

1、中芯国际（国内第一大代工，合作最深）

1. 认证：G5 显影液完成全流程供应商稽核，适配 28nm/14nm 成熟逻辑制程，工信部联合攻关项目已验收，正式进入合格供方名录。

2. 供货：成熟 8 寸 /12 寸产线批量采购 TMAH 显影液，部分厂区逐步替代日本关东化学、三菱；先进制程（N+1/N+2）小批量导入测试。

3. 合作模式：联合研发定制负胶显影液、光刻配套稀释液，不再只供单品。

4. 短期增量：中芯成熟产线稼动上行、北京 / 天津新厂爬坡，逐月提升采购量。

2、华虹半导体（华虹无锡 + 华虹宏力）

1. 状态：全线 G5 TMAH 量产供货，功率器件 + 特色工艺晶圆稳定采购，是华虹国产显影液主力供应商之一。

2. 产品：除显影液外，BOE 蚀刻液、配套清洗液逐步送样验证。

3. 催化：华虹无锡二期扩产 12 寸产线，国产材料导入比例逐年提升。

3、长鑫存储（DRAM 内存，合肥）

1. 验证落地：G5 显影液通过 DRAM 量产线认证，现阶段小批量量产供货 LPDDR5/ 通用 DRAM 产线。

2. 用量特点：DRAM 精细制程单片晶圆 TMAH 消耗量比普通逻辑芯片高 40%，存储芯片耗材弹性远大于面板。

3. 进度：2026 年长鑫扩产至月产能 30 万片晶圆，国产材料替代目标从 15% 提升至 30%，格林达份额持续抬升。

4、长江存储（3D NAND 闪存，武汉）

1. 当前：G5 显影液完成 3D NAND 多层堆叠产线全工艺验证，处于小批量试供阶段，未大规模放量。

2. 工艺难点：长存 3D NAND 堆叠层数持续加高（232 层起步），光刻精度严苛，G5 高纯 TMAH 门槛极高；国内能量产供货企业稀缺。

3. 关键节点：长存扩产 + 国产供应链提速，2026 下半年有望从试采转向批量采购。

二、产品供货结构（从单一 TMAH →全品类配套）

1. 现阶段主力：SEMI G5 TMAH 显影液（营收占半导体业务 85%），四家厂光刻核心耗材，国产替代核心标的。

2. 导入中：BOE 缓冲蚀刻液、光刻剥离液、高纯稀释液，依托四川达州 1 万吨半导体化学品产能落地，逐步在四家头部晶圆厂逐个认证落地。

3. 远期：先进封装 /Chiplet 配套湿化学品，适配中芯、长存、长鑫布局的 AI 封装产线。

三、未来合作前景（分短 / 中 / 长期逻辑）

短期（6～12 个月，2026 年内）

1. 中芯 + 华虹：存量产线提份额，新产线批量导入，半导体营收环比稳步抬升；

2. 长鑫：DRAM 涨价 + 产能扩张，采购规模从小单转稳定大单；

3. 长江存储：结束小试，开启批量采购，带来新增业绩增量。

催化：存储 AI 周期上行，长鑫、长存业绩爆发，加速国产材料降本替代进口。

中期（1～3 年，核心业绩爆发期）

1. 国产替代政策：国内晶圆厂材料国产化率硬性提升（显影液从 20% → 40%+），日企关东化学份额持续被挤压，格林达直接受益；

2. 产能匹配：四川达州基地 G5 化学品满产，就近配套长鑫（合肥）、长存（武汉）、京东方西南厂区，物流 + 成本优势，方便全品类供货落地；

3. 品类扩容：从只卖显影液，变成单厂一站式采购（显影 + 蚀刻 + 剥离 + 清洗），单客户营收翻倍。

长期（3 年以上，估值重塑）

1. 制程突破：G5 产品向 7/14nm 先进制程持续迭代，切入中芯先进制程、长存下一代高密度 NAND、长鑫下一代先进 DRAM；

2. AI 算力拉动：HBM 内存、AI 存储芯片量产，存储芯片耗材用量持续提升，打开成长天花板；

3. 横向延伸：凭借四大头部晶圆厂资质，导入国内二线晶圆（晶合集成、华润微等），打开全国半导体耗材市场。

四、核心风险与跟踪指标

风险

1. 晶圆厂资本开支下行、稼动下滑，耗材采购缩减；

2. 同行（江化微等）加速 G5 量产分流订单。

跟踪关键数据

1. 长鑫 / 长存月度稼动率、国产材料采购占比；

2. 格林达四川基地产能利用率、半导体业务月度营收；

3. 长江存储批量供货落地公告。

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