快科技 6 月 24 日消息，在 2026 年 VLSI 研讨会上，三星公布了面向 2030 年的 V-NAND 路线图，核心方案是通过 CMB 技术将两块 450 层 NAND 晶圆键合为一体，构建 900 至 1000 层以上的堆叠结构。

MoreThanMoore 的 Ian Cutress 博士指出，这一方案可将目前 8TB QLC SSD 的容量提升至 32TB。

从三星展示的路线图来看，NAND 行业刚刚步入 400 层时代，2029 年将实现 420 层，2030 年突破 560 层，随后在下一个十年初期冲击 1000 层以上。

层数越堆越高带来的首要挑战是晶圆翘曲，层数越多，堆叠应力越大，晶圆在制造过程中容易发生弯曲变形，导致光刻对准失败和良率骤降。

对此三星给出的解决方案是 Upper Chuck Design，通过专用夹具控制晶圆翘曲，同时配合 Overlay Correction 技术修正层间对位误差，为后续层数扩展留出空间。

然而单芯片继续往上堆叠终究有物理极限，这正是三星选择 CMB 方案的原因，将两块独立的 450 层 NAND 芯片通过键合工艺拼接为一体，相当于绕过了单芯片堆叠的瓶颈，用拼接来实现 900 层以上的总层数。

不过目前这一技术仍处于原型阶段，从原型到量产仍需解决键合精度、热膨胀匹配和量产良率等工程问题。

在竞争格局方面，目前 SK 海力士以 321 层 NAND 领先行业，是首家实现量产的厂商，国产长江存储的追赶速度同样值得关注，长江目前已量产 294 层和 232 层 NAND 产品，正在大规模投资新建晶圆厂，计划将晶圆产能翻倍。

在 AI 超周期导致存储供需缺口持续扩大的背景下，长江存储的扩产时机恰好卡在了市场最缺货的窗口期。