快科技 6 月 26 日消息，据报道，三星电子 2026 年 4 至 5 月内存出口金额呈现大幅上涨。数据显示，三星 DRAM 产品平均销售单价年增幅超过 400%，通用型 DRAM 的强劲反弹成为最大推动力。

从价格走势来看，三星在 2026 年第一季度将 DRAM 合约价上调 100% 后，第二季度再度环比上涨 30%。以 2025 年底价格为基准，两季度累计涨幅约 160%。

TrendForce 数据显示，2026 年第一季度一般型 DRAM 合约价季增幅度高达 93% 至 98%。花旗预计 2026 年全年 DRAM 均价涨幅将达 88%。

业内人士分析认为，通用型 DRAM 的短缺是本轮涨价的核心驱动力。大厂持续将产能转向 DDR5 与 HBM 等先进制程产品，进一步加剧了成熟市场的供给紧张局面。

公开资料显示，AI 服务器单机 DRAM 搭载量为传统服务器的 8 至 10 倍，叠加通用服务器补库与 AI PC 普及需求，存储芯片的供需缺口持续扩大。

同时，NAND Flash 价格同步进入上行通道，韩国国际贸易协会数据显示，5 月韩国 NAND 闪存出口额同比增长 206.8%，两大存储品类共同拉动三星半导体业务盈利大幅提升。

三星第一季度财报显示，DRAM 与 NAND 混合平均售价较 2025 年全年均值暴涨 146%。

韩国券商预测，三星第二季度营收将达到 179 万亿韩元，营业利润约 90 万亿韩元，同比增长超过 19 倍。

业内判断，三星存储产品议价优势将贯穿 2026 全年，存储业务也将成为集团年度业绩增长的核心支柱。