快科技 7 月 21 日消息，三星电子正将 V-NAND（垂直堆叠闪存）产能的 60% 以上分配给英伟达，用于供应 AI 服务器所需的存储芯片，同时 V10 已量产、V11 已进入试产阶段。

目前三星电子月产能超过 10 万片晶圆，其中 V9（286 层）占 60%，V8 占比已降至 40% 以下，去年以来产能快速向 V9 转移。

V9 良率已超 80%，进入量产稳定期，平泽 P4 工厂的 NAND 洁净室空间还有超一半可用于扩产。

V10 已在今年上半年开始量产，堆叠层数达 400 层，存储密度比 V9 高出 50% 以上，更值得关注的是，V11（目标 400-500 层）已进入试产，下半年试产规模将翻倍，为量产积累良率数据。

此外，V10 开始规模采用钼（Molybdenum）替代传统钨作为布线材料，布线厚度减少 30% 至 40%，是业界首次将该材料商业化应用。

这一切的背景是英伟达即将推出的 CMX（Context Memory Storage，上下文存储），单套可容纳 576 块 SSD、总容量 9600TB。

据预计，CMX 对 NAND 的需求将从今年的 3500 万 TB 暴增至明年 1 亿 TB 以上，而三星电子 2026 年 NAND 产量预计约 2.5 亿 TB，有望成为 CMX 核心供应商。

英伟达吃掉了三星电子大部分产能，留给其他客户和消费者的所剩无几，存储涨价恐怕还要持续。