快科技 7 月 22 日消息，据媒体报道，继 DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作之后，三星电子与英伟达的合作版图进一步延伸至 NAND 闪存领域，双方在存储供应链上的绑定进入全新阶段。

据 7 月 21 日消息，三星已正式启动第十代 V-NAND（V10）的量产并向英伟达供货，同时扩大第九代 V-NAND（V9）产能，并加速推进第十一代 500 层 V-NAND（V11）的研发。三星以 " 量产 V9、上量 V10、试产 V11" 三代并行布局，将核心闪存产能向 AI 赛道倾斜。

此次合作的直接驱动力来自英伟达即将推出的上下文存储平台 CMX（Context Memory Storage）。该设备单套可搭载 576 块固态硬盘，总容量高达 9600TB，旨在解决 AI 推理中 KV 缓存数据指数级膨胀带来的存储瓶颈。业界预计，CMX 对 NAND 的需求将从 2026 年的 3500 万 TB 跃升至 2027 年超 1 亿 TB。

为匹配这一海量需求，三星已完成内部产能结构重塑。目前，三星月产 V-NAND 超过 10 万片晶圆，其中约 60% 产能分配给 V9 产品，而一年前仍占主力的 V8 产能已被压缩至 40% 以下。V9 闪存良率稳定在 80% 以上，进入量产成熟期；三星平泽 P4 工厂的 NAND 洁净室仍有超半数空间可支持进一步扩产。

技术迭代方面，三星同样展现出加速态势。今年上半年启动量产的 V10，采用约 400 层堆叠架构，存储密度较 286 层的 V9 提升超 50%，并首次以钼（Molybdenum）替代传统钨作为布线材料，使配线厚度缩减 30% 至 40%。更值得关注的是，目标堆叠层级达 400 至 500 层的 V11 已进入试产阶段，预计下半年试产规模将翻倍，为后续量产积累良率数据。

受益于 AI 存储需求爆发，三星 2026 年利润预计将创历史新高。然而，英伟达对高端 NAND 产能的大规模锁定，也意味着其他企业及消费级市场（如 PC SSD）的供给将受到挤压。分析人士指出，N

AND 闪存市场或重演 DRAM 因 AI 需求导致缺货涨价的局面，供应压力短期内恐将持续。