快科技 7 月 31 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新存储器产业研究，2027 年存储器需求仍以 AI 应用为主导。

DRAM 方面，受 HBM 持续挤压产能及 AI 服务器需求强劲影响，CPU 用存储器与 HBM 采购动能不断攀升，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。

NAND Flash 方面，则因新产能集中释放、终端消费需求持续走弱，预计 2027 年下半年供给将趋于宽松，价格面临修正压力。

为应对 AI 基础设施建设带来的中长期需求，各大 DRAM 原厂已提前启动产能扩充计划。短期内，供应商积极提升既有厂区产能，同时加速制程升级、降低产品转换频率，以支撑 2026 年整体位元供给扩张。

进入 2027 年，尽管数家供应商的新产能规划陆续投产，但受限于建厂工期、设备移机及原物料等前置作业，多数新厂投片放量将集中于下半年；考虑生产周期，显著的产出贡献预计延至 2028 年兑现。

此外，HBM 制造流程所需的晶圆投入远高于一般型 DRAM，新增投片量无法等比例转化为有效位元产出，进一步限制了 2027 年 DRAM 整体位元供给成长幅度，市场供应能力持续收紧。

TrendForce 指出，2026 年 DRAM 供需位元缺口约为 -1% 至 -2%；2027 年需求增速将超越供给增长，缺口进一步扩大。但需留意，2026 年主要 CSP 资本支出维持历史高位，若 2027 年存储器价格持续高企，其在整体 CSP 资本支出中的占比将相应上升。

NAND Flash 方面，2026 年原厂主要通过制程升级增加位元供给。由 AI 服务器及高容量 Enterprise SSD 需求旺盛，供应商持续提高企业级 SSD 的供给比重，以规避消费端需求疲软带来的获利风险。

2027 年，随着各大厂商加速升级至高层数产品以及新厂产能逐步释放，预计位元供给成长幅度将超过 2026 年，市场产出规模迎来显著扩张。