快科技 8 月 6 日消息，铠侠与闪迪近日联合发布新一代 QLC 3D 闪存技术。

该技术采用 332 层堆叠架构，并辅以优化的布局设计，位密度较第八代产品提升高达 60%，达到超过 37 Gb/mm ² 的水平，在位密度、性能及能效等关键指标上均树立了新的行业标杆。

此次新一代 QLC 3D 闪存技术引入了 CBA（CMOS directly Bonded to Array）工艺，将 CMOS 逻辑电路与存储阵列分别制造于独立的晶圆之上，再通过高精度晶圆对位键合工艺实现一体化集成，从而有效提升位密度并支持更高速的 NAND I/O 接口。

同时，该技术搭载 Toggle DDR6.0 接口标准和 SCA 协议，成为业界首款 NAND I/O 接口速率达到 4.8 Gbps 的 QLC 3D 闪存产品。

此外，新方案还采用了 PI-LTT 技术，在降低功耗的同时，提高了 I/O 数据传输能效。随着人工智能（AI）应用加速普及，海量数据增长对数据中心能效提出更高要求，此项改进恰逢其时。

官方确认，新技术基于第十代 BiCS FLASH 闪存技术平台。上个月，采用相同层叠架构（332 层）的 TLC 闪存样品已开始出货，其位密度为 29 Gb/mm ²。相比之下，本次 QLC 版本在存储密度上优势更为突出。

目前，铠侠正并行推进两条截然不同的产品路线：第九代 BiCS FLASH 以相对较低的资本投入实现高性能表现；第十代 BiCS FLASH 则借助先进的层叠工艺，面向超大容量与极致性能场景，两者各自满足差异化的市场需求。