快科技 8 月 25 日消息，据报道，三星电子与 SK 海力士正同步加速在华 NAND 闪存生产布局，计划在明年前陆续完成新一轮设备投资。两家韩国存储巨头同时将中国产线定位为高端 NAND 量产的重要支柱。

值得注意的是，三星电子今年 5 月刚刚宣布退出中国电视和家电业务，但明确表态半导体业务将继续运营，位于西安和苏州的工厂不会中断。SK 海力士停工约四年的大连 NAND 工厂也已正式重启建设。

三星电子已将西安工厂的第九代 NAND（V9）转换投资计划具体化，并确定追加补充投资方案。V9 NAND 采用 280 层堆叠架构，是目前最先进的 NAND 产品之一，预计该产线月产能将达 4 万至 5 万片晶圆。

为进一步巩固稳定量产能力，三星确定追加引入刻蚀工艺设备。相关设备采购订单预计于今年年底前落实，补充投资将于明年下半年启动。

SK 海力士已于今年第三季度起在大连第二工厂推进 NAND 产品升级所需的设备投资。目标产能规模约为月产 3 万片晶圆，相关投资将持续推进至明年。

大连工厂此轮投资标志着 SK 海力士在华 NAND 产能建设进入实质性加速阶段，此次重启扩产整体产能预计将扩大约 50%。

两家韩国存储巨头接连扩大中国产线投资，显示中国工厂在其高阶 NAND 产品布局中的重要性持续提升，此轮扩产有望进一步提升其高端产品供应能力。