快科技 9 月 18 日消息，据报道，国产 DRAM 芯片制造商长鑫存储正准备进入 NAND 闪存市场，计划在北京新工厂建设一条 NAND 闪存研发生产线，并已设立研究院开展 NAND 开发项目。

报道称，长鑫存储已与客户就 NAND 闪存计划展开沟通，其中一家新成立的初创公司计划采购长鑫的 NAND 芯片，用于 AI 系统和超级计算机的存储产品，但并未透露该客户名称。

目前研发生产线何时开始运营尚不清楚，长鑫是否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。

长鑫存储作为国内 DRAM 领域的龙头，目前在合肥和北京两地共拥有 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，产能规模居中国第一、全球第四。

此次跨界进入 NAND 闪存，意味着长鑫将从 DRAM 赛道向存储全品类扩展，目前全球 NAND 闪存市场由三星主导，据 TrendForce 数据，2026 年第二季度三星以 29.3% 的市场份额位居第一，SK 海力士排名第二，美光位列第三。

在 NAND 领域，国内已有长江存储，凭借自研 Xtacking 架构在 3D NAND 方向实现突破，2026 年一季度营收同比增长 100%，全球市场份额约 12%。