9 月 18 日，据外媒援引三名知情人士消息，国内 DRAM（内存芯片）龙头长鑫存储，正筹备进入 NAND Flash（闪存芯片）市场。

一时间，" 戗行 " 议论四起。

在中国存储市场，格局一贯是 " 楚河汉界 " ——长鑫存储做内存、长江存储做闪存。而早在去年 4 月，长江存储的 DRAM 也已经送样。号角破空，中国存储两大巨头秣马厉兵，杀进对方 " 大本营 "。

这一打破旧有格局的事件，将对产业造成什么样的影响？

关键是，对于苦等降价的消费者来说，手机的价格是不是终于要 " 便宜 " 了？

不等 NAND 扩产，利好消费者的消息已经传来。

9 月 20 日的世界制造业大会，长鑫科技（长鑫存储母公司）宣布第五代技术平台量产，存储密度大幅提升。同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比，提升了 50% 以上。

意思是，同样大小一张晶圆，新一代平台能比上一代多切出一半的芯片。这是非常惊人的技术突破，标志着长鑫在微缩工艺和架构设计上实现了重大升级，单颗高端内存的硬性制造成本至少下降超三分之一。

在半导体界，晶圆产出率就是核心竞争力。提升 50%，能大幅度降低单颗芯片的成本，相当于产能变相暴涨，正好为 " 戗行 " 提供资金弹药——正因为 DRAM 的成本因第五代平台量产而大幅降低，长鑫可以拿到更高的利润率。" 恐怖 " 的是，其 2026 年第二季度息税前利润率高达 82%。

造 NAND 极其烧钱，其烧钱程度在整个工业界名列前茅。如果制造普通芯片是烧纸币，制造先进 NAND 就跟 " 烧黄金 " 差不多，所以长江存储正筹备上市。

NAND 业已全面进入 3D NAND 时代，把电路像盖楼一样一层层叠起来以增加容量。行业从 64 层、128 层，一路卷到 300 层、400 层甚至更高。每往前推进一代，都需要重新设计材料结构，攻克物理极限，每一次技术路线的研发和试错，都要至少砸进去几十亿元。

此番杀入 NAND，长鑫存储要在原本 DRAM 的巨额投入之外，再开辟一个同样烧钱、技术难度极高的第二战场。

好在长鑫不差钱。

7 月 27 日正式登陆上交所科创板，长鑫科技创下亚洲年内规模最大、科创板史上最大的 IPO，募资近 580 亿元。首日股价暴涨超 470%，收盘市值 3.28 万亿元，当下市值约 5.98 万亿元，力克工商银行、贵州茅台，登顶 A 股上市公司市值榜首。在全球 DRAM 行业，长鑫科技市场份额超 8%，仅次于三星、SK 海力士和美光。

据报道，长鑫计划在北京新建工厂内设立 NAND 研发生产线，并已在北京成立研究机构，相关项目包括 NAND 技术研发。

中国最大 3D NAND 巨头长江存储进军 DRAM，江湖人称 " 鸭子划水 " ——水面之上风平浪静，水面之下暗暗发力，早已秘密研发并完成了产品布局。

长江存储切入 DRAM 这条赛道，一开始并没有 " 大张旗鼓 "，而是先研发、后建厂，秘密 " 潜伏 " 了一阵子。早在 2025 年 4 月，长江存储已经将成功自研的低功耗内存样品送到了核心客户手中。到今年年初，长江存储的 LPDDR5 进入样品测试尾声阶段，预计在年底前便可根据客户反馈敲定最终的量产决策。

制造 DRAM 同样消耗晶圆厂的产能，长江存储在武汉大本营建立了全新的第三座芯片工厂。这座工厂一半生产 NAND，一半生产 DRAM。一旦全面投产，该工厂将拥有月产 10 万片 12 英寸晶圆的能力。

9 月 16 日，据报道长江存储已经着手该工厂的生产设备连接工作，年底初步投产前景日益明朗。

长江存储能跨界做 DRAM，一大核心原因是拥有名震天下的独家专利架构—— Xtacking（晶圆键合技术）。传统 DRAM 制造，需要在同一片晶圆上把逻辑控制电路和存储电容单元一起做出来，而利用 Xtacking 可以在两片独立晶圆上分别加工不同的电路，再通过数十亿根垂直微通道将它们 " 合体 "。

" 霸主 " 三星与长江存储正式签署 Xtacking 混合键合专利许可协议，引起业内轰动。由于三星在其第 10 代及之后的 V-NAND 中很难绕开这项技术，不得不选择向中国厂商支付专利费。

长江存储需要烧的钱不比长鑫存储少。

随着长鑫科技成功上市、笑傲群雄，长江存储不甘示弱，其母公司长存集团的 IPO 申请于 8 月被上交所受理。长存集团拟募集 330 亿元，超越了长鑫科技的纪录（295 亿元），成为科创板历史拟募资金额最高的项目。这笔资金中很大一部分将直接砸向支持 DRAM 制造的生产线。

IPO 审核可谓 " 光速 " 推进。9 月初，上交所正式发出首轮问询，标志着审核流程进入快车道。市场普遍预测，其上市估值将达到 3000 亿元。

今年年初开始，长江存储迎来 " 名利双收 "。得益于 AI 算力、企业级 SSD 对 NAND 的大规模需求爆发，今年第一、二季度，长江存储在 NAND 的出货量和销售额份额双双达到 14%，历史性地超越了美光和铠侠，首次升至全球第三大 NAND 厂商，仅次于三星和 SK 海力士。

长江存储今年一季度营收 470.42 亿元，归母净利润 333.79 亿元，仅一个季度的利润就超过了 2025 年全年利润的两倍以上，综合毛利率冲上 76.77% 的极高水平，盈利规模在单季度甚至一度压过了长鑫科技。

市场预计长江存储发行估值 3000 亿元，跟长鑫上市估值 5792 亿元差得不算太多。而且，DRAM 的商业天花板天然高于 NAND，其制造 HBM（多层 DRAM 堆叠）的 AI 溢价也更高。

按照当下局面，长鑫 " 戗行 " 做 NAND，长江存储 " 戗行 " 做 DRAM，当长江存储挂牌上市后，中国存储 " 双子星 " 在资本市场同台竞技，两者的市值差距会明显缩小。

最有趣的是，两家厂商虽然互相 " 戗行 "，但在面对美国针对 HBM 的严苛封锁，却齐齐展现了极强的国家队协同效应。

当下，制约国内 AI 芯片算力释放的最大瓶颈就是 HBM，二者的合作堪称 " 默契 "：首先，长鑫出原料，提供最基础的 DRAM 晶圆，长存出技术，提供 Xtacking。

同时，海外三巨头做 HBM，依赖的是微凸点技术和极紫外光刻机。长鑫存储和长江存储合作推进了 20 层 HBM 研发，尝试用后者的铜 - 铜键合技术，将前者的 DRAM 直接 " 并 " 在一起。这个办法不需要极紫外光刻机，用现有的国产 DUV 也能做。

另外，长鑫已经在其 G4/G5 工艺上，小规模试产了 HBM3E 模块，将通过长江存储的封装方案，在 2027 年实现 12 层 HBM3E 的大规模扩产和量产，全方位供给国产 AI 服务器。

在面对下游客户（如小米、传音、阿里云、腾讯以及朗科、江波龙等存储模组厂）时，长鑫和长江存储经常以 " 存算一体化国产组合 " 的姿态联合进驻供应链。

比如，在智能手机或 AI 数据中心服务器的采购上，长鑫的 LPDDR5X 和长江存储的消费级 / 企业级 NAND，企业干脆 " 一站式 " 采购就是了。两家产品在主板上的兼容性、联合调优方面无缝集成，不仅面对西方买家有了更高的溢价筹码，也让国内客户实现了存储的 100% 国产自给自足。

而且，巨头的产品 " 火力交叉 "，一般都对消费者有利。中国两家存储企业逐渐转型为全品类存储巨头，既能打破海外定价权，也能把越来越高的手机、PC 价格 " 打下来 "。

以前要多花 1000 元才能从 12GB+256GB 升级到 24GB+1TB 的手机配置，在二巨头 " 戗行 " 扩产的情况下将不复存在。大内存将从 " 奢侈品 " 降级为 " 千元机标配 "，数码产品的起步规格被全线拉高。

就让 "1TB 自由 " 快点到来。