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三星P5半导体基地首条产线加速建设 设备最快明年5月进场
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【CNMO 科技消息】9 月 28 日,据韩媒报道,三星电子正在加快平泽第五园区(P5)首条量产线 Ph1 的建设进度,并与主要设备厂商讨论将设备进场时间由原计划的 2027 年第三季度提前至 2027 年第二季度。按照目前讨论的安排,相关设备最快将于 2027 年 5 月至 6 月开始进场。

三星

报道称,三星 P5 是公司规划中的下一代半导体生产基地,目标在 2028 年投入运行。今年第三季度,P5 Ph1 已经开始建设洁净室,而这项工作的启动时间此前也曾较原计划提前约 6 个月。随着洁净室建设进度加快,原本预计在 2027 年第三季度进行的设备导入计划也随之提前。

一位设备行业相关人士透露,三星方面已经向供应商传达了希望在 2027 年 5 月至 6 月左右开始搬入设备的意向,另一位业内人士则表示,三星甚至提出过让设备厂商先行准备设备、必要时提前到 2027 年第一季度供货的要求。报道认为,这反映出三星正在明显加快 P5 一期投资节奏。

从产线规划来看,P5 Ph1 目前较大概率将用于 DRAM 及高带宽内存(HBM)生产,而 Ph2 则有望建设最先进的 NAND 产线,包括第十代 NAND(V10)等产品。不过,Ph2 目前仍处于与合作厂商讨论阶段,相关正式采购订单尚未下达。由于当前部分半导体设备交货周期较长,三星已经要求供应商提前准备相关部件,以降低后续导入设备时的时间压力。

三星电子平泽工厂

三星此次提前推进 P5 投资,与 AI 基础设施带来的高性能存储需求增长有关。业内人士称,目前全球大型科技企业持续增加用于 AI 基础设施的高性能 DRAM 和 NAND 订单,而存储厂商的现有产能已经难以完全满足市场需求。

三星电子此前在 2026 年第二季度业绩发布中也表示,AI 相关需求正在推动服务器产品需求增长,内存业务在强劲需求下创下季度最高业绩,并计划继续扩大 HBM4、HBM4E 以及 DDR5、SSD 等高附加值产品的供应。

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