【CNMO 科技消息】10 月 12 日，据韩媒报道，三星电子正在扩大下一代 NAND 闪存产品 z NAND 的应用范围。除已公开的 z NAND-O 外，内部还在初期开发 z NAND-T 与 z NAND-I，三款产品分别对应不同的 AI 应用场景。

三星

此前，三星已公开过 z NAND-O。当地时间 8 月 4 日，三星在美国加州圣克拉拉举行的 FMS 2026 大会上首次展出 z NAND-O 概念模型，这款产品面向端侧 AI 设计。与依靠引线键合把数据传至芯片外围的传统方式不同，z NAND-O 用硅通孔（TSV）把 NAND 堆叠成 4 层或 8 层，数据传输路径缩短，速度与能效随之提升。三星在 ODX 2026 上介绍，z NAND-O 的比特密度可达 DRAM 的 10 倍，读取带宽与读取能效可达传统 NAND 闪存的 7 倍，核心芯片层采用 SLC，可与 NPU 集成封装，通过 UCIe 标准接口互连。

三星 z NAND-O 模型

据报道，z NAND-T 主打吞吐量，面向高容量、高性能的 AI 数据中心，特点是将决定数据吞吐量的带宽做到最大，同样采用垂直堆叠加 TSV 的方式制造，业内称之为高带宽闪存（HBF）。z NAND-I 则把 IOPS 也就是每秒可完成的输入输出次数做到最大。带宽大意味着一次能处理更多数据，IOPS 高意味着每秒完成的读写任务更多。KV 缓存这类低容量临时数据需要频繁处理，AI 推理场景因此更看重高 IOPS 的 NAND。

韩媒指出，三星把下一代 NAND 产品细分成三条线，最主要的原因在 AI。全球大型科技公司正在开发各种提升 AI 数据处理效率的架构，针对不同需求优化的 NAND 需求随之增加。三星尚未正式公布 z NAND-T 与 z NAND-I，两款产品目前只在内部开发。

SK 海力士同样在开发定制化 AI NAND 产品。该司去年下半年搭起 AIN（AI-NAND）产品家族，包含 AIN P、AIN D、AIN B 三款，分别对应性能、集成度与带宽。AIN P 正在开发最高 1 亿 IOPS 级产品，AIN D 聚焦 SSD 存储容量，目标最高 PB 级，AIN B 与 HBF 实质是同一概念，重点在于扩展带宽。