快科技 10 月 21 日消息，据报道，面对中国竞争对手长江存储的快速崛起以及 AI 带来的巨大存储需求，三星电子与 SK 海力士正在升级其中国工厂，以生产更先进的 NAND 闪存芯片。

这一升级的核心，是将中国工厂的制造能力提升至与韩国本土看齐的水平。据知情人士透露，两家公司正努力在中国工厂生产堆叠层数超过 200 层的 NAND 芯片。

三星方面，其西安工厂约占公司全球 NAND 产量的 40%，目前正推进内部代号 "Monami" 的计划，将产线转换为 286 层 V9 NAND，目标今年 12 月达到月产 5000 片晶圆，2027 年 12 月提升至 4 万片。

SK 海力士则计划将其大连工厂从目前的 192 层产品，升级至 240 层以上。

三星和 SK 海力士向媒体证实，升级工作正在与美国政府密切协商下进行，但未透露具体细节。三星强调，升级是为了满足包括美国在内的全球客户需求，并非扩大产能或新建工厂。

然而，监管仍是最大变数。自美国 2022 年实施出口管制以来，两家公司每年都需申请许可才能向中国工厂安装美制设备。美国商务部工业与安全局曾在 2025 年表示，无意批准用于升级技术或扩大产能的许可。

需要提醒的是，升级的背后是市场格局的剧烈变化。据 Omdia 数据，2026 年第二季度长江存储在中国 NAND 市场的份额已达 38.5%，超越三星的 33.5%，SK 海力士则从 20% 降至 17%。

在全球范围内，长江存储的 NAND 出货量份额也已升至 14%，位居全球第三。若不升级中国工厂的技术水平，韩系厂商在成本和产品竞争力上将面临更大压力。