【CNMO 科技消息】10 月 21 日，据多名知情人士透露，三星电子和 SK 海力士正在升级位于中国的工厂，计划生产层数超过 200 层的 NAND 闪存芯片，以满足智能手机、个人电脑及 AI 数据中心对存储产品的需求，并使中国工厂的生产水平接近韩国工厂。

SK 海力士

三星位于西安的工厂目前生产约 200 层的 NAND 闪存芯片，产量约占该公司全球 NAND 总产量的 40%。三星正推进内部代号为 " 我的朋友 " 的升级项目，将工厂改造为生产 286 层 V9 NAND。其目标是今年 12 月实现月产 5000 片晶圆，并于 2027 年 12 月将月产量提高至 4 万片晶圆。三星表示，此次升级符合美国出口管制规定，主要用于满足全球客户需求，不涉及扩大产能或新建制造设施。

SK 海力士则计划将大连工厂从生产 192 层产品转向 240 层及以上 NAND 产品。知情人士称，该公司已获准在大连生产最高 240 层芯片，并可能寻求批准，在当地研发 300 层以上产品。SK 海力士还在与美国政府磋商赴美建设 NAND 工厂的计划。

自 2022 年美国对部分芯片制造设备实施出口管制以来，两家公司在中国工厂安装美国制造的蚀刻机等设备，需要每年申请许可证。监管限制一度影响工厂改造进度。数据显示，长江存储第二季度在中国 NAND 市场的份额升至 38.5%，三星和 SK 海力士则分别降至 33.5% 和 17%。两家公司已确认升级工作正在推进，但未披露更详细的生产计划。