快科技 6 月 2 日消息，随着容量要求的提升，NAND 闪存今年来堆栈的层数也一路飙升，三星、SK 海力士等公司已经在生产 400 层以上的闪存了，然而闪存的发明人铠侠公司这次决定不跟进这种数字游戏了。

铠侠前几天官宣了第十代的 Gen10 BiCS 闪存，与上一代的 Gen8 相比，存储密度提升了 59%，读取速度提升 15%，写入速度提升 25%，读取功耗改善 40%，写入功耗也改善了 30%。

Gen10 的闪存堆栈层数也从上一代的 218 层提升到了 332 层，进步不小，但跟三星等公司力推的 400+ 层闪存相比也少了很多，至少营销数字上不好看。

但铠侠认为他们的 332 层闪存优于业界的 400+ 层闪存，还公布了具体的对比。

332 层的闪存层数少了 23%，但 GB 成本反而低了 10% 不到，能效提升了 10% 以上，可靠性提升 35% 以上。

不过铠侠的这种比较依然是田忌赛马型的，光比自己的优势了，没看到他们对比存储密度的，这方面应该还是 400 层的更强，不然三星他们也不会去提升层数了。

铠侠在闪存技术上还有一个自信的地方就是性能，这源于他们对 CBA（CMOS 直接键合）技术的掌握，2029 年能做到 4.8Gbps 的接口速度，届时其他厂商预计还会停留在 3.6Gbps 水平，铠侠自认能领先美国及韩国的友商大约 4 年时间。

这里多说一句，大家觉得在闪存键合技术上有优势的厂商还有谁？估计很多人不会想到国内的 YMTC。

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