此图片为 IT 时代网 AI 生成的示意图

IT 时代网 6 月 6 日消息，随着英伟达最新 AI 平台 Vera Rubin 进入量产阶段，三大存储芯片制造商 SK 海力士、三星电子和美光科技之间的竞争正从产能比拼转向技术攻坚。在 HBM4 已全面投产的同时，三家公司正加速研发下一代 HBM5 产品，而芯片内部热管理成为当前最关键的技术突破口。

据韩国时报报道，HBM 散热技术将首先大规模应用到 HBM5 上，但三大厂商在技术路线上各有侧重。SK 海力士于 5 月底发布 iHBM 散热技术，将集成冷却元件内嵌到 HBM 中，在芯片内部开辟直通散热通道。这种硅基结构允许热量通过芯片间的物理层散发，与传统设计相比可将热阻降低 30% 以上。

三星电子则采用 HPB 方案，将导热块埋入多层 DRAM 裸片之间，相当于在堆叠芯片内部搭建多条独立散热通道。该技术已在第七代 HBM4E 上完成验证，样品已于 5 月底首次交付客户，计划在 HBM5 上实现量产。三星表示，该技术可将热阻降低 16%。

美光科技选择了一条不同路线，主攻低功耗 HBM 设计，并辅以硅通孔沟槽冷却技术。通过在 AI 加速器芯片的硅芯片内部蚀刻微型沟槽，使冷却液在其中循环流动，从而降低内部热积累。美光强调，这些 TSV 仅承担热传导功能，不额外占用芯片面积。

散热技术之所以成为 HBM 研发的核心焦点，与 AI 硬件的快速迭代密切相关。随着英伟达、AMD 新一代 AI 服务器 GPU 单芯片功耗逼近 1000W，HBM 不断往更高堆叠发展，HBM4 已堆叠 12-16 层，HBM5 将迈向 20 层。堆叠层数越高，芯片内部积聚的热量就越多，过热会触发降频、算力缩水等问题。据韩媒报道，英伟达和 AMD 等客户已明确要求 HBM 供应商加强散热管理。

业内人士表示，低功耗和热管理技术将是未来 HBM 研发的核心方向。过去，提高数据传输速度和增加堆叠层数是关键竞争因素，但今后有效控制发热量的能力将决定产品的性能和良率。可以预见，当散热成为 HBM 产品出厂配置的一部分，HBM 产品价格将随之提升，高导热铜材、特种硅散热材料、先进封装等上游产业链有望持续受益。

注：本文中包含 AI 辅助创作的内容。