快科技 6 月 23 日消息，据报道，SK 海力士将在 DDR5 和 LPDDR5 扩产上投入更多精力，追逐理论毛利超过 90% 的极端定价空间。

目前 SK 海力士已有超过 40% 的营收来自 HBM，这一数字要远远超过三星，因此这一结构性差异决定了两家企业下一步的优先方向不同。

SK 海力士将在 HBM 之外将更多新增产能倾斜向 DDR5 和 LPDDR5，原因是当前 DRAM 全面短缺导致 DDR5 和 LPDDR5 价格飙升，理论毛利率可能超过 90%，而且这些产线在未来几年市场波动时还能快速转产 NAND，灵活性远高于 HBM 专用线。

换言之，SK 海力士选择在 HBM、DDR5、LPDDR5 和 NAND 之间分散押注，用产线灵活性对冲周期波动，而非将所有筹码压在 HBM 一条线上。

SK 海力士目前 DRAM 月产能约 60 万片晶圆，并已宣布 8 年内将存储产能翻三倍，位于龙仁半导体集群的新厂是核心扩产基地。

三星方面虽然在平泽加速扩产，但整体产能规划暂时没有 SK 海力士激进，原计划在同一个龙仁半导体集群建厂，目前仍停留在渲染图阶段，不过业内预计三星今年内还会公布进一步的产能扩张计划。

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