财联社 6 月 1 日电，高盛 5 月 31 日发布研究观点预计，到 2027 年，传统 DRAM、NAND 和 HBM 的供需状况都将较 2026 年更为紧张，且这种紧张态势将持续至 2028 年，这将有助于存储器企业在未来数年内实现更高的盈利水平。该机构认为市场尚未充分认识到当前存储器行业上行周期的持久性，大多数存储器股票的市盈率仍低至中个位数水平便是明证。高盛在研究报告中重点指出三点。其一，需求前景更为明朗，服务器和人工智能设备配置比例显著提升且代理型 AI 应用持续扩展；其二，因产能扩张步伐放缓且 HBM 交易占比更高，供应增长受限；其三，客户通过长期协议作出更明确承诺，并实施更高效的资本支出规划。以上因素将推动需求持续超越供给，从而形成更长的上升周期。机构甚至预期，即便到 2028 年，DRAM/NAND/HBM 市场仍将面临供应短缺。

基于对行业供需趋紧的判断，高盛上调了对存储芯片制造商 DRAM、NAND 及 HBM 产品的定价预期。预计三星电子的传统 DRAM 平均销售价格在 2026 财年和 2027 财年将分别同比增长 326% 和 27%，NANDASP 则分别增长 283% 和 33%；同时坚持看涨观点：HBMASP 相较于传统 DRAM 实现 " 追赶 " 效应，有望推动其在 2027 财年实现约 50% 的同比增幅，并分别带动 2026 财年、2027 财年及 2028 财年的 HBM 市场总规模达到 560 亿美元、1160 亿美元和 1680 亿美元。